パワー半導体 フレックス出勤/時差出勤(制度あり) 求人一覧
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、プロジェクトマネージャ・プロジェクトリーダ(制御/組み込み)、パワー半導体
【業務内容】■お客様に「感動」「安全」「便利・快適」をお届けするHondaならではの商品・サービス・技術提供に向けたIVI(車載インフォテイメントシステム)/テレマティクスユニットシステム研究開発にお…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、プロジェクトマネージャ・プロジェクトリーダ(制御/組み込み)、パワー半導体
【業務内容】■セントラルECU(統合ECU)、高度先進安全運転支援システム、自動運転システム用ECU、における内製車載OS、そのOSに搭載するアプリ・サービスのインテグレーションに向けた●AUTOSA…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、レイアウト・経路設計
【業務内容】以下の仕事内容をお任せいたします。・論理合成・STA/タイミング設計・P&R/レイアウト・チップ実装・DFT設計・Low Power 設計・物理設計/パッケージ設計・設計メソドロジ開発【部…
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- 年収
- 450万円~750万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)
【業務内容】半導体製品に関する、・信頼性試験およびその評価・解析技術の開発・開発品の品質・信頼性認定業務【部門概要(半導体事業部)】・「ディスクリート半導体」とは、ダイオードやトランジスタのように単独…
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全求人の一部のみ公開中
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、プロジェクトマネージャ・プロジェクトリーダ(制御/組み込み)、パワー半導体
【業務内容】■コネクティビティ・自動運転・電動化の技術進化に向けた、統合ECUや各種制御ECU(自動運転/運転支援システム・車体電装部品 等)の開発をお任せいたします。【業務詳細】■要求仕様の策定、機…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、プロジェクトマネージャ・プロジェクトリーダ(制御/組み込み)、パワー半導体
【業務内容】■スマートフォンや生体情報を利用して、クルマのドアロック操作、解除やエンジン始動を実現するデジタルキー開発/新システム開発をお任せいたします。【業務詳細】■要求仕様の策定、機能要件の明確化…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、プロジェクトマネージャ・プロジェクトリーダ(制御/組み込み)、パワー半導体
【業務内容】■SoCのアーキテクチャ設計/論理設計/物理設計/検証/プロセス構築における・クルマとしての性能目標値に基づく、SoCの要求仕様書の作成・AI評価とSoC最適化仕様の検討、実設計と検証・完…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、プロジェクトマネージャ・プロジェクトリーダ(制御/組み込み)、パワー半導体
【業務内容】■コネクティビティ・自動運転・電動化の技術進化に向けた、統合ECUや各種制御ECU(自動運転/運転支援システム・エンジン・各種電動コンポーネント・車体電装部品 等)の開発をお任せいたします…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)・試作・性…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体等の開発・生産・販売を手掛ける当社のエンジニアとして、パワーデバイスのプロセス開発及び装置開発業務をご担当いただきます。【募集背景】以下のような製品の開発体制を整えるた…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体等の開発・生産・販売を手掛ける当社のエンジニアとして、パワーデバイスのプロセス開発及び装置開発業務をご担当いただきます。【募集背景】以下のような製品の開発体制を整えるた…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション・評価分析・プロセスシミュレーション(TCAD)に関する業務【募集背景】東芝は創業以…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア
【業務内容】ディスクリート半導体(IEGT・SiCモジュール等のハイパワーデバイス、MOSFET・IGBT等のパワーデバイス、 フォトカプラー・デジタルアイソレーター等の絶縁デバイス)に関する・商品企…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
【業務内容】MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。各工程毎…
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- 年収
- 450万円~750万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
【業務内容】配属部門では、パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。豊前東芝エレクトロニクスに駐在いただき…
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- 年収
- 450万円~750万円
- 勤務地
- 福岡県 豊前市
- 職種
- パワー半導体、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
【業務内容】配属部門では、パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。豊前東芝エレクトロニクスに駐在いただき…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価(機械)
【業務内容】MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術・評価分析・…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 福岡県 豊前市
- 職種
- パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーデバイス・小信号デバイス・アイソレーションデバイス)に関する、・半導体パッケージの開発(材料、プロセス、製品)・半導体パッケージの製造装置、金型、ライン開発・半…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーデバイス・小信号デバイス・アイソレーションデバイス)に関する、・半導体パッケージの開発(材料、プロセス、製品)・半導体パッケージの製造装置、金型、ライン開発・半…
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- 年収
- 300万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(電気)
【業務内容】・アナログICの治具及びテスタによる製品評価、テストプログラム開発/量産工程立上【部門概要(半導体事業部)】・「ディスクリート半導体」とは、ダイオードやトランジスタのように単独の機能を持つ…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(電気)、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)
【業務内容】以下の仕事内容をお任せいたします。・回路設計(設計・検証)・製品評価・解析・DFT設計・開発業務管理・信頼性評価・量産立上業務【部門概要(半導体事業部)】・「ディスクリート半導体」とは、ダ…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市、他
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、有機(樹脂・高分子)、プロセス開発
【業務内容】・化合物 パワーデバイス(主にGaN)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発【募集背景】CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するパワー半導体として、Siに変わる化合物材料(S…
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