パワー半導体 第二新卒歓迎 求人一覧
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 昭島市
- 職種
- パワー半導体、品質管理、技術営業・セールスエンジニア、設備保全・メンテナンス
【職務内容】■国内だけでなく、世界各地から多くの注文をいただいており、非常に好調な分野です。薄膜デバイス事業として更なる成長をしていくことが、当部門のミッションです。【業務詳細】■膜厚・組成分析装置、…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 大阪府 高槻市
- 職種
- パワー半導体、品質管理、技術営業・セールスエンジニア、設備保全・メンテナンス
【職務内容】■半導体製造プロセス向けの薄膜膜厚・表面評価用X線装置の海外担当の技術サポート業務。海外の半導体メーカーおよび製造装置メーカーへのフィールドサービス・海外代理店指導/支援を行います。※海外…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、レイアウト・経路設計
【業務内容】以下の仕事内容をお任せいたします。・論理合成・STA/タイミング設計・P&R/レイアウト・チップ実装・DFT設計・Low Power 設計・物理設計/パッケージ設計・設計メソドロジ開発【部…
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- 年収
- 450万円~750万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)
【業務内容】半導体製品に関する、・信頼性試験およびその評価・解析技術の開発・開発品の品質・信頼性認定業務【部門概要(半導体事業部)】・「ディスクリート半導体」とは、ダイオードやトランジスタのように単独…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 宮城県 大崎市
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、パワー半導体、実験・評価(電気)
〈MC24-302-04〉【具体的な業務内容】 EMC試験(車載製品の電磁放射レベル測定および電磁波耐性の評価)、試験報告書作成、評価設備管理(日常点検、故障修繕、 定期メンテ、測定機器ソフト更新…
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- 年収
- 410万円~780万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気)
<職務内容/Main Tasks>①所属組織の担当開発領域、業務概要とR&D内における役割、ポジション・次世代電子アーキテクチャ開発における先端半導体素子技術の調査検討および開発提案を行う・車載電子ユ…
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- 年収
- 1100万円~1700万円
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
【職務内容】半導体デバイスロードマップを作成、更新する部門である。作成されたデバイスロードマップを事業部に説明し、会社として適切な技術開発・製品投入を行えるよう、提案・企画していく。【具体的には】・D…
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- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 山梨県 南アルプス市
- 職種
- パワー半導体、工程設計、製造・オペレーター、設備保全・メンテナンス
【該当ポジション】◎ご希望のポジションがある場合には、その旨お伝えください。■半導体前工程の工程改善、生産ライン管理(流動管理)■製造設備保全(PM)┗製造設備の日々点検・管理、機械保全経験がある方、…
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- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 長野県 松本市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、駆動・機構設計
【該当ポジション】◎ご希望のポジションがある場合には、その旨お伝えくださいませ。■パワー半導体製品の開発設計業務(パワーモジュール製品)■パワー半導体製品の設計技術■パワー半導体チップ・製品の設計(回…
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- 年収
- 500万円~750万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
【ご担当いただく業務】研究開発部門にて、MEMSデバイスの設計・開発業務を担当していただきます。各種アプリケーションからの要求事項をデバイス仕様に反映させ、設計・製造・評価を経て実現可能性、量産可能性…
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全求人の一部のみ公開中
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)・試作・性…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体等の開発・生産・販売を手掛ける当社のエンジニアとして、パワーデバイスのプロセス開発及び装置開発業務をご担当いただきます。【募集背景】以下のような製品の開発体制を整えるた…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体等の開発・生産・販売を手掛ける当社のエンジニアとして、パワーデバイスのプロセス開発及び装置開発業務をご担当いただきます。【募集背景】以下のような製品の開発体制を整えるた…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション・評価分析・プロセスシミュレーション(TCAD)に関する業務【募集背景】東芝は創業以…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア
【業務内容】ディスクリート半導体(IEGT・SiCモジュール等のハイパワーデバイス、MOSFET・IGBT等のパワーデバイス、 フォトカプラー・デジタルアイソレーター等の絶縁デバイス)に関する・商品企…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
【業務内容】MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。各工程毎…
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- 年収
- 450万円~750万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
【業務内容】配属部門では、パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。豊前東芝エレクトロニクスに駐在いただき…
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- 年収
- 450万円~750万円
- 勤務地
- 福岡県 豊前市
- 職種
- パワー半導体、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
【業務内容】配属部門では、パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。豊前東芝エレクトロニクスに駐在いただき…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価(機械)
【業務内容】MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術・評価分析・…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 福岡県 豊前市
- 職種
- パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーデバイス・小信号デバイス・アイソレーションデバイス)に関する、・半導体パッケージの開発(材料、プロセス、製品)・半導体パッケージの製造装置、金型、ライン開発・半…
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非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーデバイス・小信号デバイス・アイソレーションデバイス)に関する、・半導体パッケージの開発(材料、プロセス、製品)・半導体パッケージの製造装置、金型、ライン開発・半…
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- 年収
- 300万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(電気)
【業務内容】・アナログICの治具及びテスタによる製品評価、テストプログラム開発/量産工程立上【部門概要(半導体事業部)】・「ディスクリート半導体」とは、ダイオードやトランジスタのように単独の機能を持つ…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市
- 職種
- パワー半導体、実験・評価(電気)、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)
【業務内容】以下の仕事内容をお任せいたします。・回路設計(設計・検証)・製品評価・解析・DFT設計・開発業務管理・信頼性評価・量産立上業務【部門概要(半導体事業部)】・「ディスクリート半導体」とは、ダ…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市、他
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、有機(樹脂・高分子)、プロセス開発
【業務内容】・化合物 パワーデバイス(主にGaN)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発【募集背景】CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するパワー半導体として、Siに変わる化合物材料(S…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、有機(樹脂・高分子)、プロセス開発
【業務内容】・パワーデバイス(主にSiC)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術・装置開発【同社の強み】(1)長年のSiのパワー半導体を究めて培われた、Siデバイスに関する高度な知見と技術(2)…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 福岡県 豊前市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)・試作・性…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、プロセス開発
【業務内容】ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)・試作・性…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア
【業務内容】ディスクリート半導体(IEGT・SiCモジュール等のハイパワーデバイス、MOSFET・IGBT等のパワーデバイス、 フォトカプラー・デジタルアイソレーター等の絶縁デバイス)に関する・商品企…
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- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 兵庫県 揖保郡太子町
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価(機械)、有機(樹脂・高分子)、プロセス開発
【業務内容】・配属部門ではSiCやGaNなどの化合物半導体の研究開発を行っております。SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造…
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