LED・発光デバイス・光半導体, フレックス出勤／時差出勤（制度あり）の転職・求人情報
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈●技術営業／国内顧客担当（半導体検査・計測装置）／東京勤務〉■業務内容評価システム営業本部 評価システム二部において国内顧客向けに当社半導体検査・計測装置の技術営業をご担当いただきます。【具体的には…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈次世代半導体製造装置の開発に向けた外部連携推進/東京勤務〉【職務内容】ナノテクノロジーソリューション事業統括本部事業戦略本部 オープンビジネス推進部にて、大学の研究機関やベンチャー企業、テック企業と…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 香川県 高松市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、光学系エンジニア、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
【仕事内容】■主な業務内容としては、下記を想定しています。将来の製品化に向けた開発プロジェクトにおいて、検査装置の要素技術となる光学系開発を担当する業務に携わっていただきます。カメラ、ＬＥＤ照明などと…
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- 年収
- 430万円～550万円
- 勤務地
- 熊本県 菊池市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
【業務内容】・プローブカードの開発、評価業務を行います。・各種計測装置を使用し、現状確認、分析しDATAを基に報告を行います。・お客様へ納める商品に対して、納品先で初期の立ち上げサポートを行います。・…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】■CMOSイメージセンサーのウェーハ新規デバイス開発をお任せします。新タイプ開発と歩留・特性改善業務、新タイプの試作開発・評価/量産展開、製品要求仕様を満たす生産プロセス条件を確立する仕事…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、センサー構造の企画構想、新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計、シミュレーションを使用した素子設計、試作開発、特性評価などを行いま…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 600万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【リーダー/担当者】インダストリ、セキュリティ、コンスーマカメラ向けCMOSイメージセンサーの製品技術業務を担当します。■組織の役割インダストリ、セキュリティ、コンスーマカメラ分野を用途とするCMOS…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 品川区
- 職種
- サービスエンジニア、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、工業製品営業、技術営業・セールスエンジニア
〈【精機事業本部】半導体露光装置、計測検査装置、FPD露光装置のマーケティング、商品企画〉（74）【本部/事業部】精機事業本部【配属先】精機事業本部/商品戦略部/商品戦略課～組織としての担当業務～【商…
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- 年収
- 750万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市北区
- 職種
- FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、レイアウト・基盤設計
【リーダー/担当者】 モバイル機器向けCMOSイメージセンサーのロジック設計業務。商品開発における機能要件開発、ロジック回路設計・検証、量産化サポートを行います。また、生産性向上に向けた中期的な改善を…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市、他
- 職種
- センサー、デジタル（マイコン・CPU）、FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体
【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーのデジタル回路設計のリーダーおよびエンジニアを募集します。アナログや画素との混載製品であるイメージセンサーのデジタル制御部分の設計を担当します。また画素から…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価（電気）
【業務内容】2nmプロセス及びそれ以降の世代においけるデバイス開発及びプロセス評価用TEGのLayout等の業務全般。デバイス開発ではトランジスタ特性（電気特性、各種Layout依存性）や抵抗及び容量…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈次世代半導体製造装置の開発に向けた外部連携推進（プロジェクトマネージャー）/東京勤務〉【職務内容】ナノテクノロジーソリューション事業統括本部事業戦略本部 オープンビジネス推進部にて、大学・研究機関や…
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- 年収
- 750万円～750万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- センサー、FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【リーダー/担当者】 モバイル機器(主にスマートフォン等)向けCMOSイメージセンサーのロジック設計業務。商品開発における機能要件開発、ロジック回路設計・検証、及び、量産化サポートを行い、商品開発工程…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
DS_A0061 【アナログ回路設計】CMOSイメージセンサー（主にセキュリティ／産機（FA、IoT）／医療向け）【リーダー/担当者】 CMOSアナログ回路設計を担当します。■組織としての担当業務CM…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
＜DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)＞【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【リーダー/担当者】チップレベルのESD設計技術、ESD保護素子/セルライブラリ、ESD検証ツール開発経験者■組織の役割SSSグループが手掛ける半導体チップ設計に必要なESD設計技術の開発、および、実…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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