電気系エンジニア, 年収900万円以上の転職・求人情報 (11/23ページ)
-
- 年収
- 450万円~1000万円
- 勤務地
- 北海道 札幌市西区
- 職種
- 電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、高周波・RF・通信(アナログ)
■業務詳細:Iot家電(黒物・白物)・業務用AV機器・車載機器・BtoB製品の設計開発 (勤務地 札幌) 電源回路設計やアナログ回路設計業務に従事して頂きます。案件としてはテレビの開発案件が多く、車載…
-
- 年収
- 350万円~1000万円
- 勤務地
- 山口県、他
- 職種
- デジタル(マイコン・CPU)、光学系エンジニア、マイコン制御、駆動・機構設計
【業務内容】■地域の大手メーカー(自動車や航空機、建機、半導体など)を中心としたパートナー先にてご経験に応じて機械設計・電気回路設計・生産技術・化学等の業務に携わって頂きます。大手メーカーの最新技術の…
-
- 年収
- 430万円~1100万円
- 勤務地
- 岐阜県 揖斐郡揖斐川町
- 職種
- その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発(機械)、無機(金属・ガラス・セラミック)
【業務概要】▽以下(1)~(5)のいずれかの業務にご経験・適性・実績に応じてご担当頂きます。(1)開発設計:次世代ICパッケージ基板の共同開発・商品開発・工程設計(2)要素技術:次世代ICパッケージ基…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
-
- 年収
- 510万円~1070万円
- 勤務地
- 三重県 桑名市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー(電気)
【職務内容】■半導体製造における顧客窓口業務とプロジェクト管理【具体的には】■海外顧客窓口担当■主として三重工場を使用するファウンドリ顧客の開発・試作における顧客技術支援,ならびに開発/推進■ファウン…
-
全求人の一部のみ公開中
-
非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 スマートフォン市場向けRFスイッチICスマートフォン市場向けローノイズアンプIC■概要スマーフォン向けの通信用IC(スイッチ、ローノイズアンプ)の設計・開発を行っていただきます。■詳細・…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 石川県 金沢市
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、実験・評価(電気)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 SAWフィルタ、BAWフィルタなど半導体プロセスを用いた商品■概要SAW/BAWデバイス新規商品の高周波測定技術を確立し、商品化を行っていただきます。■詳細:SAW/BAWデバイスの高周…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、実験・評価(電気)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 SAWフィルタ、BAWフィルタなど半導体プロセスを用いた商品■概要SAW/BAWデバイス新規商品の高周波測定技術を確立し、商品化を行っていただきます。■詳細:SAW/BAWデバイスの高周…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、商品開発/サービス開発、実験・評価(電気)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品 SAWフィルタ、BAWフィルタなど圧電高周波デバイス■概要SAW/BAWデバイス新規商品の構想段階から立ち上げまでの商品化を行っていただきます。■詳細:主にスマホ用のSAWフィルタやSA…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- 高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品RFフロントエンドモジュール、PAモジュール、半導体モジュール、マルチプレクサー■概要RFの送受信機能(PA、LNA、SW、SAWフィルタ、LCフィルタ等々)をムラタの独自技術で丸ごと詰め…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- 高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品RFフロントエンドモジュール、PAモジュール、半導体モジュール、マルチプレクサー■概要RFの送受信機能(PA、LNA、SW、SAWフィルタ、LCフィルタ等々)をムラタの独自技術で丸ごと詰め…
-
- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- センサー、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気)、高周波・RF・通信(アナログ)
■携わる商品:SAWフィルタ、BAWフィルタなど圧電高周波デバイス■概要SAW/BAWデバイス新規商品の研究開発を行っていただきます。■詳細:SAW/BAWデバイスの新素子(構造/工法)の基礎調査~研…
希望通りの求人が
見つからない方へ
マイナビエージェントサイトで
ご覧いただける求人は一部となります。
無料転職サポートをお申し込みいただくと
こちらで公開していない登録者限定の求人を
ご紹介することができます。