LED・発光デバイス・光半導体, 年収900万円以上の転職・求人情報
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 岐阜県 土岐市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、光学系エンジニア
■仕事内容新たなマーケット開拓のために、オリジナルの素子開発に取り組んでいくための人材を募集しております。今まではグループ会社と協力をした素子開発を行ってきましたが、より市場のニーズに素早く対応するた…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
Innovation X Lab. /技術開発アライアンス企画・推進担当業務は、主業務(80%)・半導体技術トレンドに基づき、新規に必要となる半導体製造装置の要素技術の分析・そのうち、同社の成長につな…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 神奈川県 藤沢市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価(機械)、実験・評価(電気)
【業務内容】顧客と協業で開発を進めている電子顕微鏡コラムの性能評価業務を担当していただきます。顧客や社内(機械設計チーム、電子光学設計チーム、etc)と連携を取りながら、評価項目の妥当性や評価結果を検…
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- 年収
- 400万円~900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
■携わる商品スマートフォン市場向けRFスイッチIC、ローノイズアンプ IC、パワーアンプ ICなど■概要スマートフォン市場向け通信モジュールの半導体デバイス/プロセス開発■詳細・差異化技術となりうる新…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈次世代半導体製造装置の開発に向けた外部連携推進(プロジェクトマネージャー)/東京勤務〉【職務内容】ナノテクノロジーソリューション事業統括本部事業戦略本部 オープンビジネス推進部にて、大学・研究機関や…
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- 年収
- 510万円~1070万円
- 勤務地
- 三重県 桑名市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー(電気)
【職務内容】■半導体製造における顧客窓口業務とプロジェクト管理【具体的には】■海外顧客窓口担当■主として三重工場を使用するファウンドリ顧客の開発・試作における顧客技術支援,ならびに開発/推進■ファウン…
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- 年収
- 510万円~1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、センサー構造の企画構想、新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計、シミュレーションを使用した素子設計、試作開発、特性評価などを行いま…
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- 年収
- 510万円~1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】■CMOSイメージセンサーのウェーハ新規デバイス開発をお任せします。新タイプ開発と歩留・特性改善業務、新タイプの試作開発・評価/量産展開、製品要求仕様を満たす生産プロセス条件を確立する仕事…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気)、製品企画・プロジェクトマネージャー(電気)
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 600万円~950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発(機械)、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)
【リーダー/担当者】インダストリ、セキュリティ、コンスーマカメラ向けCMOSイメージセンサーの製品技術業務を担当します。■組織の役割インダストリ、セキュリティ、コンスーマカメラ分野を用途とするCMOS…
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- 年収
- 550万円~960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、設備導入・立ち上げ、設備設計(機械)
【業務内容】半導体試験装置試験の工程設計管理・機器選定業務をお任せ致します。【詳細】■半導体電子デバイスの電気特性試験のための試験系・プローブカード・プログラム等の設計■製造品の試験工程において発生す…
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- 年収
- 450万円~960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 550万円~980万円
- 勤務地
- 新潟県 燕市
- 職種
- CAE(熱・流体解析)、LED・発光デバイス・光半導体、駆動・機構設計
募集者の名称パナソニック株式会社 エレクトリックワークス社配属部門パナソニック株式会社 エレクトリックワークス社 プロフェッショナルライティングBU●担当業務と役割・主な担当業務は、照明器具の機構設計…
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- 年収
- 750万円~950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市、他
- 職種
- センサー、デジタル(マイコン・CPU)、FPGA(デジタル)、LED・発光デバイス・光半導体
【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーのデジタル回路設計のリーダーおよびエンジニアを募集します。アナログや画素との混載製品であるイメージセンサーのデジタル制御部分の設計を担当します。また画素から…
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- 年収
- 750万円~950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)、高周波・RF・通信(アナログ)
DS_A0061 【アナログ回路設計】CMOSイメージセンサー(主にセキュリティ/産機(FA、IoT)/医療向け)【リーダー/担当者】 CMOSアナログ回路設計を担当します。■組織としての担当業務CM…
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- 年収
- 430万円~900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市青葉区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体
ED25_01【横浜】ハイパワー用LEDのパッケージ設計・開発【募集の背景】同社では自動車用ランプのシステム化を推進し、ランプシステムサプライヤーとしてさらなる事業拡大を目指しております。自動車ランプ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価(電気)
【業務内容】2nmプロセス及びそれ以降の世代においけるデバイス開発及びプロセス評価用TEGのLayout等の業務全般。デバイス開発ではトランジスタ特性(電気特性、各種Layout依存性)や抵抗及び容量…
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- 年収
- 450万円~960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 450万円~960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 450万円~960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 750万円~950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価(機械)、実験・評価(電気)
<DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)>【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円~950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【リーダー/担当者】チップレベルのESD設計技術、ESD保護素子/セルライブラリ、ESD検証ツール開発経験者■組織の役割SSSグループが手掛ける半導体チップ設計に必要なESD設計技術の開発、および、実…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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