パワー半導体, 産休・育休取得実績ありの転職・求人情報 （2/2ページ）
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- 年収
- 350万円～570万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導体製造装置…
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- 年収
- 570万円～880万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 大阪府 高槻市
- 職種
- パワー半導体、品質管理、技術営業・セールスエンジニア、設備保全・メンテナンス
【職務内容】■半導体製造プロセス向けの薄膜膜厚・表面評価用X線装置の海外担当の技術サポート業務。海外の半導体メーカーおよび製造装置メーカーへのフィールドサービス・海外代理店指導/支援を行います。※海外…
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- 年収
- 550万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、設備導入・立ち上げ、設備設計（機械）
【業務内容】半導体試験装置試験の工程設計管理・機器選定業務をお任せ致します。【詳細】■半導体電子デバイスの電気特性試験のための試験系・プローブカード・プログラム等の設計■製造品の試験工程において発生す…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、その他半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、海外営業
＜CTSPSBU or ESBU or TFFBU 営業部/半導体製造装置の技術営業職（主にインドビジネス）＞【当ポジションの職務定義】半導体製造工程全般を理解した上で、顧客のニーズを確認し、同社製品…
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- 年収
- 650万円～1000万円
- 勤務地
- 東京都 府中市、他
- 職種
- センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、プロセス開発
〈DSSBU SPEシステム部／エッチング装置プロセス開発エンジニア〉半導体向けエッチング装置のプロセスエンジニアまたはマネジメント業務を行います。・半導体前工程、特にエッチングプロセスを理解した上で…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 1350万円～1500万円
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
〈デバイス技術ソリューション企画部/DRAMデバイスマーケティングスペシャリスト 〉・DRAM構造、レイアウト、電気特性などのデバイスに関連する情報から、装置・プロセス開発要求に落とし込み、新規開発案…
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- 年収
- 1250万円～1675万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- メモリ、センサー、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
テクノロジー開発ディレクターは、ウエハーボンディング、フロントエンド、ウエハーレベルパッケージング技術の革新を推進します。大阪に拠点をおき、日本とシンガポールのチームを管理します。■詳細：- 企業全体…
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- 年収
- 600万円～800万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- メモリ、センサー、パワー半導体、工程設計、プロセス開発・スケールアップ
～グローバルシェアトップクラスメーカーでのプロセス技術者～■業務内容SAW/BAWフィルターの製造を手掛ける当社において、ご経験にマッチしたポジションを提案させていただき選考を進めさせていただきます。…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 栃木県 芳賀郡芳賀町
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
【募集の背景】Hondaは、この地球上で人々が持続的に生活していくため、「カーボンニュートラル」「クリーンエネルギー」「リソースサーキュレーション 」を1つのコンセプトにまとめた「Triple Act…
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- 年収
- 880万円～1456万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市中央区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化・…
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- 年収
- 490万円～800万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- 410万円～690万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- 350万円～570万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】SAWリソグラフィ工程のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と安定化FDC、設備ログなど設備データを用いたプロセス／…
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非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】SAWドライエッチング工程のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と安定化FDC、設備ログなど設備データを用いたプロセ…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】新製品における最適な欠陥検査レシピの設定新規プロセスおける欠陥検査内容の提案と欠陥検査レシピの設定製造工程で発生するパーティクルやクラック等の欠陥を解析することにより、発生原因や発生工程を…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）・装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化…
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- 年収
- 880万円～1350万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）・装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・CMP装置のメーカーでのデモテスト、ベンチマーク資料作成・CMP装置の導入及びメンテナンス手法の確立・CMPによる平坦化工程の最適スラリーの選定、条件設定、Control plan明確化…
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- 年収
- 880万円～1350万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・CMP装置のメーカーでのデモテスト、ベンチマーク資料作成・CMP装置の導入及びメンテナンス手法の確立・CMPによる平坦化工程の最適スラリーの選定、条件設定、Control plan明確化…
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- 年収
- 800万円～1050万円
- 勤務地
- 東京都 品川区
- 職種
- メモリ、パワー半導体
【米誌『forbes』でも取り上げられる世界的半導体メーカーの日本法人／年収800万～／年休127日・土日祝休み／転勤なし】【業務概要】音響共振器の性能開発と改善業務をお任せします。【業務詳細】・音響…
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