パワー半導体, 残業月30時間以下の転職・求人情報
-
- 年収
- 500万円～1060万円
- 勤務地
- 熊本県 菊池郡菊陽町
- 職種
- パワー半導体、工程設計、プロセス開発、プロセス開発・スケールアップ
【配属部門のミッション】・顧客要求を満たした製品の製品化をスケジュール通りに実現していくことに加え、中長期的な開発を見据えた技術取り込みの実施をしていくこと。【お任せする業務】インテグレーション開発業…
-
- 年収
- 500万円～1060万円
- 勤務地
- 熊本県 菊池郡菊陽町
- 職種
- パワー半導体、工程設計、生産管理、プロセス開発、プロセス開発・スケールアップ
【配属部門のミッション】新規開発を要求の難易度が上がっている中でも、スケジュール通りに安定的に開発を実施していくことをミッションとしております。熊本では、一眼レフや産業機器、医療機器、監視、車載向け等…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 京都府 京都市南区
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体、品質保証、品質管理、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務詳細】■Hondaは、2050年にHondaの関わる全ての製品と企業活動を通じたカーボンニュートラルを目指しており、二輪車、四輪車、パワープロダクツや船外機、航空機を合わせて年間3,000万台規…
-
- 年収
- 「月収額」24.6万円
- 勤務地
- 鹿児島県 霧島市
- 職種
- パワー半導体、無機（金属・ガラス・セラミック）、プロセス開発・スケールアップ
【職務内容】■お任せする業務内容コンデンサの小型高容量化、高信頼性化、薄層化に伴う製品開発業務です。このため、これまでの業務経験と適性を踏まえて、以下の業務内容のいずれかを担当して頂きます。・通信市場…
-
- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 大分県 臼杵市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
-
- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 北海道 函館市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 府中市、他
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
＜DSS BU SPEシステム部CTSPSグループ／技術営業＞半導体製造装置の技術営業・TELや所属営業部、グループの方針を理解し、上長やメンバーと共に顧客の要求や目的をヒアリングして同社の製造装置を…
-
- 年収
- 669万円～1312万円
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市、他
- 職種
- センサー、FPGA（デジタル）、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】9,000名のエンジニアを抱えるAKKODiSコンサルティングにおいて、回路／半導体設計のPM候補を募集します。設計だけでなく、プロジェクトの最適化（課題解決）もお任せ、コンサルタントへの…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈次世代半導体製造装置の開発に向けた外部連携推進（プロジェクトマネージャー）/東京勤務〉【職務内容】ナノテクノロジーソリューション事業統括本部事業戦略本部 オープンビジネス推進部にて、大学・研究機関や…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈次世代半導体製造装置の開発に向けた外部連携推進/東京勤務〉【採用背景】半導体市場は技術革新や需要動向の変化が速く、こうしたスピードについていくために従来とは異なる新たな発想・手法による開発活動や同社…
-
全求人の一部のみ公開中
-
- 年収
- 1350万円～1500万円
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
【職務内容】募集ポジションは以下の4つです。1. Logic戦略開発企画GrのGroup Leader。2. Logic FEOL/MOL module戦略開発企画担当。3. EUV, Pattern…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【募集部門の役割】顧客要求、競合に対する競争力を実現、半導体、絶縁材料、金属材料を組み合わせ、電気性能と信頼性を実現する製品を設計しています。加えて、量産性のある高機能な材料とそれを製品に適用させる加…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備導入・立ち上げ、設備設計（機械）
【業務内容】・車載半導体（ASIC）における「革新的な生産技術開発」や「画期的な生産システムを織り込んだ生産ラインを構築・立上げ」【業務詳細】 ■車載半導体（ASIC）の生産技術開発（接合・成形・画像…
-
- 年収
- 500万円～600万円
- 勤務地
- 京都府 木津川市
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、無機（金属・ガラス・セラミック）
■職務内容： 電線製造で培った伸線技術・合金化技術を応用し、金・銀・銅などあらゆる品種の極細金属線（ファインワイヤ）を開発・提供している事業部です。技術部の管理職候補として、①極細金属線の開発、及び②…
-
- 年収
- 350万円～550万円
- 勤務地
- 長崎県 大村市
- 職種
- パワー半導体、レイアウト・基盤設計
■業務内容：配電盤設計、規格対応半導体関連装置または工作機械の電気回路及び電装盤レイアウト設計■組織構成：電気設計は12名在籍しており、20～40代と若手からベテランまで各年代バランスよく在籍していま…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体
【業務の概要】半導体製品およびプリント基板上での実装も考慮したレイアウト設計環境開発、および、その付随業務【職場紹介】セミコンダクタ基盤開発部では、半導体製品設計に関わる設計環境開発を担当しています。…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- CAE（構造・応力・振動解析）、パワー半導体、製品開発システムエンジニア
【業務の概要】半導体製品の電気特性情報・熱情報・EMC情報をもとに多目的最適化する技術の開発、および、その付随業務【職場紹介】セミコンダクタ基盤開発部では、半導体製品設計に関わる設計環境開発を担当して…
-
- 年収
- 500万円～1060万円
- 勤務地
- 長崎県 諫早市
- 職種
- センサー、パワー半導体、レイアウト・基盤設計、プロセス開発
【業務概要】イメージセンサー向け 半導体要素デバイスの 評価パターンレイアウト作成（CAD）と、その特性測定・評価＜具体的には＞イメージセンサー製品に搭載される半導体素子（トランジスタ、抵抗、配線）を…
-
- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 福井県 坂井市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
-
- 年収
- 300万円～700万円
- 勤務地
- 福岡県 宮若市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
-
非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
-
- 年収
- 500万円～920万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）、プロセス開発
＜業務内容＞車載用のパワー半導体およびパワーモジュールの半導体パッケージ製品の研究・開発においての開発プロジェクトの管理をお任せします。製品ごとに、プロジェクトとしてR＆D部隊や工場の生産技術部隊など…
-
- 年収
- 400万円～750万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
＜業務内容＞車載用のパワー半導体およびパワーモジュールの半導体パッケージ製品を中心とした研究・開発においての試作開発及びプロセス開発業務をお任せします。＜具体的な業務内容＞・顧客からの製品仕様に基づき…
-
- 年収
- 600万円～920万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- パワー半導体、部品・要素設計
＜業務内容＞デザインチームは、アムコーテクノロジージャパンのR＆D組織の窓口として顧客（サプライヤー）からの要求仕様（半導体パッケージ設計図面）を確認して、要求仕様を満たすことができる工場を選択し、そ…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 東京都 港区、他
- 職種
- その他半導体、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、パワー半導体
【職務内容】以下のいずれかに従事・SDVアーキテクチャ開発 -タスクスケジューリング方式/QoS（NoC,DRAMC）仕様開発 -SW/HWパーティショニング技術開発・半導体SoC開発 -NoC,DR…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備導入・立ち上げ
【業務の概要】・パワーカードにおける「革新的な生産技術開発」や「画期的な生産システムを織り込んだ生産ラインを構築・立上げ」【業務詳細】■パワーカードの生産技術開発（接合・成形・画像/電気特性検査等）■…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- CAE（構造・応力・振動解析）、CAE（電磁界・電磁場解析）、パワー半導体
【職務内容】電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発・パワー半導体、パワーモジュールの分析、解析業務（形状、厚さ、濃度、故障解析など）・パワー半導…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、無機（金属・ガラス・セラミック）
【職務内容】パワーデバイス材料研究、デバイス開発・SiCウェハガス成長法の研究開発・SiCエピタキシャル成長の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発・α酸…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【職務内容】パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ回路開発・SiC、GaNデバイス駆動回路開発・モータ制御、電源制御開発・耐EMC回路、解析技術開発・ロジック回路R…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発・スケールアップ
【業務内容】電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価。【業務詳細】・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及び…
-
- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- FPGA（デジタル）、その他半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【職務内容】車載半導体（ASIC）の企画/開発/設計業務を行っていただきます。・顧客(車両メーカ＆社内システム部署)への製品提案＆技術折衝・論理仕様の検討&顧客提案・MBDによるシステム設計・デジタル…
希望通りの求人が
見つからない方へ
マイナビエージェントサイトで
ご覧いただける求人は一部となります。
無料転職サポートをお申し込みいただくと
こちらで公開していない登録者限定の求人を
ご紹介することができます。
