パワー半導体, メーカー／製造業の転職・求人情報 （2/4ページ）
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- 年収
- 600万円～920万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- パワー半導体、部品・要素設計
＜業務内容＞デザインチームは、アムコーテクノロジージャパンのR＆D組織の窓口として顧客（サプライヤー）からの要求仕様（半導体パッケージ設計図面）を確認して、要求仕様を満たすことができる工場を選択し、そ…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 額田郡幸田町
- 職種
- パワー半導体、品質保証
【組織ミッション】電動化や運転支援システムなどの技術革新が進む中、私たちはお客様が安心して使い続けられる製品を提供するために、時代に即した品質保証体系を構築します。市場での不具合を未然に防ぎ、最善の品…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
Innovation X Lab. ／技術開発アライアンス企画・推進担当業務は、主業務(80%)・半導体技術トレンドに基づき、新規に必要となる半導体製造装置の要素技術の分析・そのうち、同社の成長につな…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、工程設計
【組織ミッション】セミコンダクタ統括部は、今後急成長が見込まれる半導体事業の全体戦略をリードする重要な部署です。中でもSiC戦略室は、BEVをはじめとする電動車に採用される新材料半導体の調達戦略・新規…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】ワイドバンドギャップ(WBG)半導体(SiC、GaN)の商材を用いたパワーエレクトロニクスハードウェアの開発・設計および素子仕様策定具体的には以下の業務に携わっていただきます。◆WBG半導…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
■携わる商品スマートフォン市場向けRFスイッチIC、ローノイズアンプ IC、パワーアンプ ICなど■概要スマートフォン市場向け通信モジュールの半導体デバイス/プロセス開発■詳細・差異化技術となりうる新…
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- 年収
- 450万円～700万円
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市瑞穂区
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、プロセス開発
【職務の特色】NGKで開発した分離膜について、お客さまが実際に使用する状況を模擬できる設備を設計,製作し、お客さまの要求する仕様を確認するための実証を行います。また時には、お客さまやマーケティング情報…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- CAE（構造・応力・振動解析）、パワー半導体、製品開発システムエンジニア
【組織ミッション】セミコンダクタ基盤開発部は、半導体デバイスの先行技術や半導体事業における共通基盤の開発をミッションとして取り組んでいる部署です。当室はデジタルのチカラを使って、いい製品を、より早く、…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 東京都 港区、他
- 職種
- その他半導体、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、パワー半導体
【職務内容】以下のいずれかに従事・SDVアーキテクチャ開発 -タスクスケジューリング方式/QoS（NoC,DRAMC）仕様開発 -SW/HWパーティショニング技術開発・半導体SoC開発 -NoC,DR…
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- 年収
- 430万円～550万円
- 勤務地
- 熊本県 菊池市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
【業務内容】・プローブカードの開発、評価業務を行います。・各種計測装置を使用し、現状確認、分析しDATAを基に報告を行います。・お客様へ納める商品に対して、納品先で初期の立ち上げサポートを行います。・…
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全求人の一部のみ公開中
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備設計（機械）
【業務内容】車載半導体製品の機能安全アセスメントと技術開発。具体的には以下の業務に携わっていただきます。◆機能安全アセスメント・製品の機能安全活動（安全仕様の策定、安全設計、安全分析、検証・テスト、確…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【募集部門の役割】顧客要求、競合に対する競争力を実現、半導体、絶縁材料、金属材料を組み合わせ、電気性能と信頼性を実現する製品を設計しています。加えて、量産性のある高機能な材料とそれを製品に適用させる加…
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- 年収
- 350万円～550万円
- 勤務地
- 長崎県 大村市
- 職種
- パワー半導体、レイアウト・基盤設計
■業務内容：配電盤設計、規格対応半導体関連装置または工作機械の電気回路及び電装盤レイアウト設計■組織構成：電気設計は12名在籍しており、20～40代と若手からベテランまで各年代バランスよく在籍していま…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 東京都 港区、他
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【職務内容】電子化が加速する自動車において、電子制御のキー技術である高性能マイクロコントローラ・SoCの企画、仕様開発、品質検証、量産化開発（半導体メーカとの共同開発、性能評価）【職場紹介】車載マイク…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、無機（金属・ガラス・セラミック）
【職務内容】パワーデバイス材料研究、デバイス開発・SiCウェハガス成長法の研究開発・SiCエピタキシャル成長の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発・α酸…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 三重県 桑名市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【職務内容】■半導体製造における顧客窓口業務とプロジェクト管理【具体的には】■海外顧客窓口担当■主として三重工場を使用するファウンドリ顧客の開発・試作における顧客技術支援，ならびに開発/推進■ファウン…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、FPGA（デジタル）、制御設計（MBD）、パワー半導体
【組織ミッション】・自動車の進化を支える製品を提供し、お客様に価値を感じていただけること。・自動車の「知能化・電動化・制御」で半導体事業を自律して成長させる。【業務内容】車載用半導体製品のデジタル回路…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体
【組織ミッション】セミコンダクタ基盤開発部は、半導体デバイスの先行技術や半導体事業における共通基盤の開発をミッションとして取り組んでいる部署です。当室はデジタルのチカラを使って、いい製品を、より早く、…
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非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 知多郡阿久比町、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備設計（機械）
【業務内容】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 知多郡阿久比町、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備設計（機械）
【業務内容】パワー半導体SiCウエハ加工に関わる生産技術開発・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析・SiCに関わる生産技術(スライス加工、研削、CMP)の開発・実験・評価・工程設計・SiCに関わる設…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備導入・立ち上げ
【業務の概要】・パワーカードにおける「革新的な生産技術開発」や「画期的な生産システムを織り込んだ生産ラインを構築・立上げ」【業務詳細】■パワーカードの生産技術開発（接合・成形・画像/電気特性検査等）■…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- CAE（構造・応力・振動解析）、CAE（電磁界・電磁場解析）、パワー半導体
【職務内容】電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発・パワー半導体、パワーモジュールの分析、解析業務（形状、厚さ、濃度、故障解析など）・パワー半導…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【職務内容】パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ回路開発・SiC、GaNデバイス駆動回路開発・モータ制御、電源制御開発・耐EMC回路、解析技術開発・ロジック回路R…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発・スケールアップ
【業務内容】電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価。【業務詳細】・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及び…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けRFスイッチICスマートフォン市場向けローノイズアンプIC■概要スマーフォン向けの通信用IC（スイッチ、ローノイズアンプ）の設計・開発を行っていただきます。■詳細・…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- センサー、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品：SAWフィルタ、BAWフィルタなど圧電高周波デバイス■概要SAW/BAWデバイス新規商品の研究開発を行っていただきます。■詳細：SAW/BAWデバイスの新素子（構造/工法）の基礎調査～研…
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