パワー半導体, 総合電機メーカーの転職・求人情報
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- 年収
- 430万円～550万円
- 勤務地
- 熊本県 菊池市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
【業務内容】・プローブカードの開発、評価業務を行います。・各種計測装置を使用し、現状確認、分析しDATAを基に報告を行います。・お客様へ納める商品に対して、納品先で初期の立ち上げサポートを行います。・…
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 大分県 臼杵市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 北海道 函館市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
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- 年収
- 500万円～600万円
- 勤務地
- 京都府 木津川市
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、無機（金属・ガラス・セラミック）
■職務内容： 電線製造で培った伸線技術・合金化技術を応用し、金・銀・銅などあらゆる品種の極細金属線（ファインワイヤ）を開発・提供している事業部です。技術部の管理職候補として、①極細金属線の開発、及び②…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 東京都 品川区、他
- 職種
- パワー半導体、品質保証、工業製品営業、筐体設計、プロセス開発
下記ポジションいずれかの選考となります。【技術職ポジション】＜技術職ポジション①＞パワー半導体製品の開発設計業務(パワーモジュール製品)、パワー半導体製品の設計技術、パワー半導体チップ・製品の設計（回…
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- 年収
- 540万円～1050万円
- 勤務地
- 秋田県 由利本荘市
- 職種
- パワー半導体、設備設計（機械）、プロセス開発
〈C003【秋田・岩手】製品製造工程のプロセス設計・改善 ※就業環境◎／グローバルメーカー〉■業務内容積層セラミックコンデンサ事業における一貫製造ラインの工程管理・工程改善をお任せします。積層セラミッ…
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 福井県 坂井市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
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- 年収
- 300万円～700万円
- 勤務地
- 福岡県 宮若市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、実験・評価（電気）、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
＜職務内容＞その方のご経験に合わせて書類選考をさせていただきます。＜予定ポストor資格区分＞■一般■主任・主務＜予想残業時間（月）＞10～20時間
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- 年収
- 500万円～920万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）、プロセス開発
＜業務内容＞車載用のパワー半導体およびパワーモジュールの半導体パッケージ製品の研究・開発においての開発プロジェクトの管理をお任せします。製品ごとに、プロジェクトとしてR＆D部隊や工場の生産技術部隊など…
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- 年収
- 400万円～750万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
＜業務内容＞車載用のパワー半導体およびパワーモジュールの半導体パッケージ製品を中心とした研究・開発においての試作開発及びプロセス開発業務をお任せします。＜具体的な業務内容＞・顧客からの製品仕様に基づき…
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- 年収
- 600万円～920万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市博多区
- 職種
- パワー半導体、部品・要素設計
＜業務内容＞デザインチームは、アムコーテクノロジージャパンのR＆D組織の窓口として顧客（サプライヤー）からの要求仕様（半導体パッケージ設計図面）を確認して、要求仕様を満たすことができる工場を選択し、そ…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けRFスイッチICスマートフォン市場向けローノイズアンプIC■概要スマーフォン向けの通信用IC（スイッチ、ローノイズアンプ）の設計・開発を行っていただきます。■詳細・…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- センサー、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品：SAWフィルタ、BAWフィルタなど圧電高周波デバイス■概要SAW/BAWデバイス新規商品の研究開発を行っていただきます。■詳細：SAW/BAWデバイスの新素子（構造/工法）の基礎調査～研…
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