パワー半導体, 年収400万円以上の転職・求人情報 （4/4ページ）
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- 年収
- 750万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市北区
- 職種
- FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、レイアウト・基盤設計
【リーダー/担当者】 モバイル機器向けCMOSイメージセンサーのロジック設計業務。商品開発における機能要件開発、ロジック回路設計・検証、量産化サポートを行います。また、生産性向上に向けた中期的な改善を…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 栃木県 芳賀郡芳賀町
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
【募集の背景】Hondaは、この地球上で人々が持続的に生活していくため、「カーボンニュートラル」「クリーンエネルギー」「リソースサーキュレーション 」を1つのコンセプトにまとめた「Triple Act…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
DS_A0061 【アナログ回路設計】CMOSイメージセンサー（主にセキュリティ／産機（FA、IoT）／医療向け）【リーダー/担当者】 CMOSアナログ回路設計を担当します。■組織としての担当業務CM…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- パワー半導体、実験・評価（電気）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
【リーダー/担当者】CMOSアナログ設計・検証を担当していただきます。■組織の役割ソニーの半導体ビジネスを支えるCMOSイメージセンサーの開発を担当しています。セキュリティカメラ、産業機器向けカメラの…
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- 年収
- 1250万円～1675万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- メモリ、センサー、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
テクノロジー開発ディレクターは、ウエハーボンディング、フロントエンド、ウエハーレベルパッケージング技術の革新を推進します。大阪に拠点をおき、日本とシンガポールのチームを管理します。■詳細：- 企業全体…
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- 年収
- 600万円～800万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- メモリ、センサー、パワー半導体、工程設計、プロセス開発・スケールアップ
～グローバルシェアトップクラスメーカーでのプロセス技術者～■業務内容SAW/BAWフィルターの製造を手掛ける当社において、ご経験にマッチしたポジションを提案させていただき選考を進めさせていただきます。…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 品川区
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、FPGA（デジタル）、光学系エンジニア、パワー半導体、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【組織の概要】インダストリアルソリューションズ事業部では、光学部品といった光学コンポーネントビジネス、エンコーダやロボットモジュールといったデジタルマニュファクチャリングビジネス、光学測定機や画像測定…
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- 年収
- 540万円～1050万円
- 勤務地
- 秋田県 由利本荘市
- 職種
- パワー半導体、設備設計（機械）、プロセス開発
〈C003【秋田・岩手】製品製造工程のプロセス設計・改善 ※就業環境◎／グローバルメーカー〉■業務内容積層セラミックコンデンサ事業における一貫製造ラインの工程管理・工程改善をお任せします。積層セラミッ…
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- 年収
- 880万円～1456万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市中央区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化・…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
＜DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)＞【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、パワー半導体、品質管理、レイアウト・基盤設計
【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロアプラン見積りから、各機能ブロックをつなぐ配置配線、デジタル領域のP&R、DFT、Timing検証、チップ…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】SAWリソグラフィ工程のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と安定化FDC、設備ログなど設備データを用いたプロセス／…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】SAWドライエッチング工程のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と安定化FDC、設備ログなど設備データを用いたプロセ…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】新製品における最適な欠陥検査レシピの設定新規プロセスおける欠陥検査内容の提案と欠陥検査レシピの設定製造工程で発生するパーティクルやクラック等の欠陥を解析することにより、発生原因や発生工程を…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）・装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化…
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- 年収
- 880万円～1350万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）・装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・CMP装置のメーカーでのデモテスト、ベンチマーク資料作成・CMP装置の導入及びメンテナンス手法の確立・CMPによる平坦化工程の最適スラリーの選定、条件設定、Control plan明確化…
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- 年収
- 880万円～1350万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・CMP装置のメーカーでのデモテスト、ベンチマーク資料作成・CMP装置の導入及びメンテナンス手法の確立・CMPによる平坦化工程の最適スラリーの選定、条件設定、Control plan明確化…
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- 年収
- 800万円～1050万円
- 勤務地
- 東京都 品川区
- 職種
- メモリ、パワー半導体
【米誌『forbes』でも取り上げられる世界的半導体メーカーの日本法人／年収800万～／年休127日・土日祝休み／転勤なし】【業務概要】音響共振器の性能開発と改善業務をお任せします。【業務詳細】・音響…
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