パワー半導体 全国の転職・求人情報 （2/4ページ）
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 大阪府 箕面市
- 職種
- パワー半導体、無機（金属・ガラス・セラミック）
【業務内容】１．MLCC関連の材料もしくは製造プロセスの研究開発業務２．MLCC関連の新規プロセスの開発業務３．誘電体材料の開発や新規誘電体材料の開発業務４．セラミックス材料の合成や物性評価５．パイロ…
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- 年収
- 500万円～700万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市港北区
- 職種
- サービスエンジニア、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア
■仕事内容弊社が取り扱う半導体製品（特にアナログ：DCDC, LCD, 光学, 他）のFAE業務を担当いただきます。 ・拡販サポート： お客様に対し、弊社取扱い製品紹介資料の準備とご紹介 最終製品から…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
■携わる商品スマートフォン市場向けRFスイッチIC、ローノイズアンプ IC、パワーアンプ ICなど■概要スマートフォン市場向け通信モジュールの半導体デバイス/プロセス開発■詳細・差異化技術となりうる新…
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- 年収
- 450万円～700万円
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市瑞穂区
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、プロセス開発
【職務の特色】NGKで開発した分離膜について、お客さまが実際に使用する状況を模擬できる設備を設計,製作し、お客さまの要求する仕様を確認するための実証を行います。また時には、お客さまやマーケティング情報…
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- 年収
- 430万円～550万円
- 勤務地
- 熊本県 菊池市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
【業務内容】・プローブカードの開発、評価業務を行います。・各種計測装置を使用し、現状確認、分析しDATAを基に報告を行います。・お客様へ納める商品に対して、納品先で初期の立ち上げサポートを行います。・…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプIC■概要スマートフォン向けのパワーアンプICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議・主…
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全求人の一部のみ公開中
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 三重県 桑名市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【職務内容】■半導体製造における顧客窓口業務とプロジェクト管理【具体的には】■海外顧客窓口担当■主として三重工場を使用するファウンドリ顧客の開発・試作における顧客技術支援，ならびに開発/推進■ファウン…
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、構造設計
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- 550万円～1600万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
一緒にパワー半導体の性能、品質向上に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、広い視野と高い探求心でチャレンジ頂ける人材を広く募集致します。【職務内容】パワーエレクトロニ…
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- 年収
- 550万円～1600万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、無機（金属・ガラス・セラミック）
車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。【職務内容】パワーデバイス材料研究、デバイス…
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
【業務内容】■クロスドメインECUの量産開発およびその評価具体的には以下の業務に携わっていただきます。＜量産開発マネジメント＞・社内関連メンバーとともに顧客折衝、ヒアリング・製品仕様設計・顧客との仕様…
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- 年収
- 550万円～1070万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】■パワートレイン制御ECUの製品企画・量産開発（HEV、PHEV、FC-EV、ICE 他）＜業務事例＞・市場調査、規制調査・競合ベンチマーク・車両メーカとの仕様・要件開発、及び、提案活動・…
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- 年収
- 550万円～1600万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体、画像処理、高周波・RF・通信（アナログ）
【業務内容】以下のいずれかの業務に携わっていただきます。＜大規模ECUのハードウェア設計・開発業務＞・画像処理SoCや高速通信回路を搭載するECUの回路設計【業務のやりがい・身につくスキル】先進安全領…
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- 年収
- 550万円～1600万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体、高周波・RF・通信（アナログ）
【業務内容】以下のいずれかの業務に携わっていただきます。＜大規模ECUのハードウェア設計・SoCチップセットの機能安全業務＞・最先端のチップセットを製品にするための安全設計（コンセプト検討、仕様定義、…
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- 年収
- 550万円～1070万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、部品・要素設計
【業務内容】■運転支援システムおよびコックピットシステム向け筐体設計および要素技術開発◆車載ECUに適用する冷却技術（空冷、水冷）の製品適用設計・顧客および社内関係製品からのハードウェア仕様を分析し、…
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非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
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- 年収
- 650万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 額田郡幸田町
- 職種
- パワー半導体、品質保証
【業務内容】仕入先様から購入する電子部品の品質保証業務を推進します。以下の①～④の活動に従事しながら、安心安全なモビリティ社会実現にむけて活躍頂きます。①新規半導体仕入先様の採用活動推進②新規に採用す…
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- 年収
- 550万円～1600万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発・スケールアップ
一緒にSiC-MOSのデバイス開発に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、チャレンジ意欲がある人材を求めています。【業務内容】電動車に不可欠な次世代パワー半導体（Si…
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- 年収
- 550万円～1600万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- CAE（構造・応力・振動解析）、CAE（電磁界・電磁場解析）、パワー半導体
一緒にパワー半導体の性能、品質向上に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、チャレンジ意欲がある人材を求めています。【職務内容】電動車向けインバータ用パワー半導体及びパ…
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- その他半導体、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、パワー半導体
【職務内容】以下のいずれかに従事・SDVアーキテクチャ開発 -タスクスケジューリング方式/QoS（NoC,DRAMC）仕様開発 -SW/HWパーティショニング技術開発・半導体SoC開発 -NoC,DR…
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
電動車の普及促進により世界の空をきれいにする未来を、一緒に切り拓いていける仲間を募集しています。【募集部門の役割】顧客要求、競合に対する競争力を実現、半導体、絶縁材料、金属材料を組み合わせ、電気性能と…
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- 年収
- 550万円～1430万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、構造設計、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】インバータAssyの開発牽引リーダーとして、低電圧、高電圧、冷却構造、制御まで一気通貫で関わっていただきます。下記いずれかまたは複数の要素技術をご担当いただきます。【技術分野】・モジュール…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けパワーアンプ制御用アナログCMOS IC■概要スマーフォン向けの通信モジュールに搭載されるRF/アナログICの設計・開発を行っていただきます。■詳細・通信モジュール…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 京都府 長岡京市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品 スマートフォン市場向けRFスイッチICスマートフォン市場向けローノイズアンプIC■概要スマーフォン向けの通信用IC（スイッチ、ローノイズアンプ）の設計・開発を行っていただきます。■詳細・…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- センサー、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、高周波・RF・通信（アナログ）
■携わる商品：SAWフィルタ、BAWフィルタなど圧電高周波デバイス■概要SAW/BAWデバイス新規商品の研究開発を行っていただきます。■詳細：SAW/BAWデバイスの新素子（構造/工法）の基礎調査～研…
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