LED・発光デバイス・光半導体, 半導体の転職・求人情報
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】■CMOSイメージセンサーのウェーハ新規デバイス開発をお任せします。新タイプ開発と歩留・特性改善業務、新タイプの試作開発・評価/量産展開、製品要求仕様を満たす生産プロセス条件を確立する仕事…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、センサー構造の企画構想、新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計、シミュレーションを使用した素子設計、試作開発、特性評価などを行いま…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 三重県 桑名市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【職務内容】■半導体製造における顧客窓口業務とプロジェクト管理【具体的には】■海外顧客窓口担当■主として三重工場を使用するファウンドリ顧客の開発・試作における顧客技術支援，ならびに開発/推進■ファウン…
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- 年収
- 550万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、設備導入・立ち上げ、設備設計（機械）
【業務内容】半導体試験装置試験の工程設計管理・機器選定業務をお任せ致します。【詳細】■半導体電子デバイスの電気特性試験のための試験系・プローブカード・プログラム等の設計■製造品の試験工程において発生す…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 800万円～1050万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【米誌『forbes』でも取り上げられる世界的半導体メーカーの日本法人／年収800万～／年休127日・土日祝休み／転勤なし】【業務概要】SAWベースのRFフィルターの新規プロセス技術の導入から量産展開…
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- 年収
- 800万円～1050万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市中央区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体
【米誌『forbes』でも取り上げられる世界的半導体メーカーの日本法人／年収800万～／年休127日・土日祝休み／転勤なし】【業務概要】音響共振器の性能開発と改善業務をお任せします。【業務詳細】・音響…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
＜DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)＞【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【リーダー/担当者】チップレベルのESD設計技術、ESD保護素子/セルライブラリ、ESD検証ツール開発経験者■組織の役割SSSグループが手掛ける半導体チップ設計に必要なESD設計技術の開発、および、実…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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