LED・発光デバイス・光半導体, 半導体の転職・求人情報
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 三重県 桑名市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【職務内容】■半導体製造における顧客窓口業務とプロジェクト管理【具体的には】■海外顧客窓口担当■主として三重工場を使用するファウンドリ顧客の開発・試作における顧客技術支援，ならびに開発/推進■ファウン…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】■CMOSイメージセンサーのウェーハ新規デバイス開発をお任せします。新タイプ開発と歩留・特性改善業務、新タイプの試作開発・評価/量産展開、製品要求仕様を満たす生産プロセス条件を確立する仕事…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、センサー構造の企画構想、新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計、シミュレーションを使用した素子設計、試作開発、特性評価などを行いま…
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- 年収
- 550万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、設備導入・立ち上げ、設備設計（機械）
【業務内容】半導体試験装置試験の工程設計管理・機器選定業務をお任せ致します。【詳細】■半導体電子デバイスの電気特性試験のための試験系・プローブカード・プログラム等の設計■製造品の試験工程において発生す…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 600万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【リーダー/担当者】インダストリ、セキュリティ、コンスーマカメラ向けCMOSイメージセンサーの製品技術業務を担当します。■組織の役割インダストリ、セキュリティ、コンスーマカメラ分野を用途とするCMOS…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 750万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市北区
- 職種
- FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、レイアウト・基盤設計
【リーダー/担当者】 モバイル機器向けCMOSイメージセンサーのロジック設計業務。商品開発における機能要件開発、ロジック回路設計・検証、量産化サポートを行います。また、生産性向上に向けた中期的な改善を…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
DS_A0061 【アナログ回路設計】CMOSイメージセンサー（主にセキュリティ／産機（FA、IoT）／医療向け）【リーダー/担当者】 CMOSアナログ回路設計を担当します。■組織としての担当業務CM…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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全求人の一部のみ公開中
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価（電気）
【業務内容】2nmプロセス及びそれ以降の世代においけるデバイス開発及びプロセス評価用TEGのLayout等の業務全般。デバイス開発ではトランジスタ特性（電気特性、各種Layout依存性）や抵抗及び容量…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
＜DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)＞【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円～750万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- センサー、FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【リーダー/担当者】 モバイル機器(主にスマートフォン等)向けCMOSイメージセンサーのロジック設計業務。商品開発における機能要件開発、ロジック回路設計・検証、及び、量産化サポートを行い、商品開発工程…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市、他
- 職種
- センサー、デジタル（マイコン・CPU）、FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体
【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーのデジタル回路設計のリーダーおよびエンジニアを募集します。アナログや画素との混載製品であるイメージセンサーのデジタル制御部分の設計を担当します。また画素から…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【リーダー/担当者】チップレベルのESD設計技術、ESD保護素子/セルライブラリ、ESD検証ツール開発経験者■組織の役割SSSグループが手掛ける半導体チップ設計に必要なESD設計技術の開発、および、実…
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非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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