LED・発光デバイス・光半導体 半導体の転職・求人情報
- オンライン面接／WEB面接（実績あり）
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 550万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、設備導入・立ち上げ、設備設計（機械）
【業務内容】半導体試験装置試験の工程設計管理・機器選定業務をお任せ致します。【詳細】■半導体電子デバイスの電気特性試験のための試験系・プローブカード・プログラム等の設計■製造品の試験工程において発生す…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 兵庫県 伊丹市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体
【仕事内容】高周波・光デバイスのウエハテストをお任せいたします。研修制度も充実してますのでご安心ください。【具体的には】テストに必要な治工具の設計・加工、テスト条件決め、テストプログラム作成、不具合発…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 兵庫県 伊丹市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、要素技術研究・製品研究開発
【仕事内容】「パワー半導体」のウエハプロセスエンジニアとして、ご活躍いただきます。【具体的には】主に光デバイスのウエハエプロセスで、具体的には「結晶成長工程」における製品歩留りや装置稼働率の向上、ライ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価（電気）
＜（技術開発統括部）デバイス開発用TEG (Test Element Group) 設計エンジニア＞【業務内容】2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発におけるTEG設計を担っていただき…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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