LED・発光デバイス・光半導体, 年収1000万円以上の転職・求人情報
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈次世代半導体製造装置の開発に向けた外部連携推進（プロジェクトマネージャー）/東京勤務〉【職務内容】ナノテクノロジーソリューション事業統括本部事業戦略本部 オープンビジネス推進部にて、大学・研究機関や…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 神奈川県 藤沢市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
【業務内容】顧客と協業で開発を進めている電子顕微鏡コラムの性能評価業務を担当していただきます。顧客や社内（機械設計チーム、電子光学設計チーム、etc）と連携を取りながら、評価項目の妥当性や評価結果を検…
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- 年収
- 490万円～1100万円
- 勤務地
- 茨城県 つくば市、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、有機（樹脂・高分子）、無機（金属・ガラス・セラミック）
【お任せする業務】太陽光エネルギーを用いて水分解を可能とする半導体光触媒の合成およびキャラクタリゼーションを行い、低コスト水素製造技術のシステム要素技術開発を行います。同時に大面積電気化学評価セル設計…
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- 年収
- 650万円～1100万円
- 勤務地
- 愛知県 尾張旭市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■ウェハ関連の開発責任者・開発管理全般（仕様書作成/加工技術）・顧客対応（開発窓口/資料作成など）・試作【この仕事の面白さ・魅力】同社では、半導体向けの商品開発、量産体制を強化しております…
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- 年収
- 650万円～1100万円
- 勤務地
- 愛知県 尾張旭市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）、設備導入・立ち上げ
【業務内容】■プロジェクト管理全般・プロジェクト管理全般（開発/製造/品質）・試作と量産管理・装置導入や生産技術立ち上げ【この仕事の面白さ・魅力】同社では、半導体向けの商品開発、量産体制を強化しており…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 三重県 桑名市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、技術営業・セールスエンジニア、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【職務内容】■半導体製造における顧客窓口業務とプロジェクト管理【具体的には】■海外顧客窓口担当■主として三重工場を使用するファウンドリ顧客の開発・試作における顧客技術支援，ならびに開発/推進■ファウン…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、センサー構造の企画構想、新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計、シミュレーションを使用した素子設計、試作開発、特性評価などを行いま…
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- 年収
- 510万円～1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】■CMOSイメージセンサーのウェーハ新規デバイス開発をお任せします。新タイプ開発と歩留・特性改善業務、新タイプの試作開発・評価/量産展開、製品要求仕様を満たす生産プロセス条件を確立する仕事…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価（電気）
【業務内容】2nmプロセス及びそれ以降の世代においけるデバイス開発及びプロセス評価用TEGのLayout等の業務全般。デバイス開発ではトランジスタ特性（電気特性、各種Layout依存性）や抵抗及び容量…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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