愛知県｜パワー半導体の転職・求人情報
- 年収800万円以上
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体、画像処理、高周波・RF・通信（アナログ）
【業務内容】以下のいずれかの業務に携わっていただきます。＜大規模ECUのハードウェア設計・開発業務＞・画像処理SoCや高速通信回路を搭載するECUの回路設計【業務のやりがい・身につくスキル】先進安全領…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、構造設計、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】インバータAssyの開発牽引リーダーとして、低電圧、高電圧、冷却構造、制御まで一気通貫で関わっていただきます。下記いずれかまたは複数の要素技術をご担当いただきます。【技術分野】・モジュール…
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- 年収
- 669万円～1312万円
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市、他
- 職種
- センサー、FPGA（デジタル）、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】9,000名のエンジニアを抱えるAKKODiSコンサルティングにおいて、回路／半導体設計のPM候補を募集します。設計だけでなく、プロジェクトの最適化（課題解決）もお任せ、コンサルタントへの…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備設計（機械）
【業務内容】車載半導体製品の機能安全アセスメントと技術開発。具体的には以下の業務に携わっていただきます。◆機能安全アセスメント・製品の機能安全活動（安全仕様の策定、安全設計、安全分析、検証・テスト、確…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【募集部門の役割】顧客要求、競合に対する競争力を実現、半導体、絶縁材料、金属材料を組み合わせ、電気性能と信頼性を実現する製品を設計しています。加えて、量産性のある高機能な材料とそれを製品に適用させる加…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 額田郡幸田町
- 職種
- パワー半導体、品質保証
【業務内容】仕入先様から購入する電子部品の品質保証業務を推進します。以下の①～④の活動に従事しながら、安心安全なモビリティ社会実現にむけて活躍頂きます。①新規半導体仕入先様の採用活動推進②新規に採用す…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体、高周波・RF・通信（アナログ）
【業務内容】以下のいずれかの業務に携わっていただきます。＜大規模ECUのハードウェア設計・SoCチップセットの機能安全業務＞・最先端のチップセットを製品にするための安全設計（コンセプト検討、仕様定義、…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】■パワートレイン制御ECUの製品企画・量産開発（HEV、PHEV、FC-EV、ICE 他）＜業務事例＞・市場調査、規制調査・競合ベンチマーク・車両メーカとの仕様・要件開発、及び、提案活動・…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、構造設計
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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全求人の一部のみ公開中
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
【業務内容】■クロスドメインECUの量産開発およびその評価具体的には以下の業務に携わっていただきます。＜量産開発マネジメント＞・社内関連メンバーとともに顧客折衝、ヒアリング・製品仕様設計・顧客との仕様…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、品質保証、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、部品・要素設計
【業務内容】■運転支援システムおよびコックピットシステム向け筐体設計および要素技術開発◆車載ECUに適用する冷却技術（空冷、水冷）の製品適用設計・顧客および社内関係製品からのハードウェア仕様を分析し、…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 額田郡幸田町
- 職種
- パワー半導体、品質保証
【組織ミッション】電動化や運転支援システムなどの技術革新が進む中、私たちはお客様が安心して使い続けられる製品を提供するために、時代に即した品質保証体系を構築します。市場での不具合を未然に防ぎ、最善の品…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、工程設計
【組織ミッション】セミコンダクタ統括部は、今後急成長が見込まれる半導体事業の全体戦略をリードする重要な部署です。中でもSiC戦略室は、BEVをはじめとする電動車に採用される新材料半導体の調達戦略・新規…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【業務内容】ワイドバンドギャップ(WBG)半導体(SiC、GaN)の商材を用いたパワーエレクトロニクスハードウェアの開発・設計および素子仕様策定具体的には以下の業務に携わっていただきます。◆WBG半導…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、FPGA（デジタル）、制御設計（MBD）、パワー半導体
【組織ミッション】・自動車の進化を支える製品を提供し、お客様に価値を感じていただけること。・自動車の「知能化・電動化・制御」で半導体事業を自律して成長させる。【業務内容】車載用半導体製品のデジタル回路…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- CAE（構造・応力・振動解析）、パワー半導体、製品開発システムエンジニア
【組織ミッション】セミコンダクタ基盤開発部は、半導体デバイスの先行技術や半導体事業における共通基盤の開発をミッションとして取り組んでいる部署です。当室はデジタルのチカラを使って、いい製品を、より早く、…
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非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 東京都 港区、他
- 職種
- その他半導体、プログラマ・システムエンジニア(制御・組み込み)、パワー半導体
【職務内容】以下のいずれかに従事・SDVアーキテクチャ開発 -タスクスケジューリング方式/QoS（NoC,DRAMC）仕様開発 -SW/HWパーティショニング技術開発・半導体SoC開発 -NoC,DR…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 刈谷市
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、パワー半導体
【組織ミッション】セミコンダクタ基盤開発部は、半導体デバイスの先行技術や半導体事業における共通基盤の開発をミッションとして取り組んでいる部署です。当室はデジタルのチカラを使って、いい製品を、より早く、…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 知多郡阿久比町、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備設計（機械）
【業務内容】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 知多郡阿久比町、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備設計（機械）
【業務内容】パワー半導体SiCウエハ加工に関わる生産技術開発・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析・SiCに関わる生産技術(スライス加工、研削、CMP)の開発・実験・評価・工程設計・SiCに関わる設…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 安城市、他
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備導入・立ち上げ
【業務の概要】・パワーカードにおける「革新的な生産技術開発」や「画期的な生産システムを織り込んだ生産ラインを構築・立上げ」【業務詳細】■パワーカードの生産技術開発（接合・成形・画像/電気特性検査等）■…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- CAE（構造・応力・振動解析）、CAE（電磁界・電磁場解析）、パワー半導体
【職務内容】電動車向けインバータ用パワー半導体及びパワーモジュールの分析、解析、信頼性評価業務及び技術開発・パワー半導体、パワーモジュールの分析、解析業務（形状、厚さ、濃度、故障解析など）・パワー半導…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 東京都 港区、他
- 職種
- メカトロニクス制御、マイコン制御、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【職務内容】電子化が加速する自動車において、電子制御のキー技術である高性能マイクロコントローラ・SoCの企画、仕様開発、品質検証、量産化開発（半導体メーカとの共同開発、性能評価）【職場紹介】車載マイク…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、無機（金属・ガラス・セラミック）
【職務内容】パワーデバイス材料研究、デバイス開発・SiCウェハガス成長法の研究開発・SiCエピタキシャル成長の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発・α酸…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【職務内容】パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ回路開発・SiC、GaNデバイス駆動回路開発・モータ制御、電源制御開発・耐EMC回路、解析技術開発・ロジック回路R…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 愛知県 豊田市
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発・スケールアップ
【業務内容】電動車に不可欠な次世代パワー半導体（SiCーMOS）のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価。【業務詳細】・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及び…
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