CAE（電磁界・電磁場解析） 海外の転職・求人情報
- 年収700万円以上
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、実験・評価（電気）
【業務内容】１） 2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における主にデバイス、論理ブロックの評価解析業務を担っていただきます。 ２） DC/ACテスト（電気特性評価）結果、工程メトロ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における、プロセス信頼性開発および信頼性技術開発業務を担っていただきます。・プロセス各工程（FEOL/MOL/BEOL）における各種要…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、プロセス開発
（デバイス技術部）TCADエンジニア（デバイスおよびプロセス）【業務内容】TCADエンジニアは、電子工学・材料・プロセス・数値解析の知識をもとに、CMOSデバイス/配線に関する電気特性解析と製造プロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、実験・評価（電気）、プロセス開発
デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア アナログデバイス担当【業務内容】2nmプロセスにおける、アナログ素子の開発。デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、実験・評価（電気）、プロセス開発
デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア ESD・ラッチアップ担当【業務内容】2nmプロセスにおける、ESD素子の開発またはラッチアップ対策。デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）
【業務内容】１） 2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における主にデバイス、論理ブロックの評価解析業務を担っていただきます。 ２） ウェーハ欠陥検査を主にご担当いただき、その他回路…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）
【業務内容】１） 2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における主にデバイス、論理ブロックの評価解析業務を担っていただきます。 ２） 電気特性検査（パラメトリックテスト、ファンクショ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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