その他半導体 年収700万円以上の転職・求人情報 （3/4ページ）
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- 年収
- 500万円～800万円
- 勤務地
- 宮城県 仙台市泉区
- 職種
- その他半導体、構造設計、駆動・機構設計
【業務内容】各種半導体製造装置を使用し、MEMS（微小電気機械システム）デバイスの開発・設計・プロセス開発等に関わっていただきます。同社の取り扱うMEMSデバイスについては多岐に渡ることから将来的に業…
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- その他半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
■業務概要次世代半導体パッケージ用基板の開発・量産化に向けて、新規プロセスフローに対応可能な新たな検査技術の確立と、新規プロセス/新規パッケージ構造を考慮した信頼性評価手法及び故障解析方法の開発を行う…
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- 年収
- 400万円～1000万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- その他半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
■業務概要次世代半導体パッケージ用基板の開発・量産化に向けて、新規プロセスフローに対応可能な新たな検査技術の確立と、新規プロセス/新規パッケージ構造を考慮した信頼性評価手法及び故障解析方法の開発を行う…
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- 年収
- 550万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、設備導入・立ち上げ、設備設計（機械）
【業務内容】半導体試験装置試験の工程設計管理・機器選定業務をお任せ致します。【詳細】■半導体電子デバイスの電気特性試験のための試験系・プローブカード・プログラム等の設計■製造品の試験工程において発生す…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 400万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 高座郡寒川町
- 職種
- その他半導体
＜HRD07-24-00013_25-00015 材料２部 一課・二課（ArFレジストの開発)＞＜HRD07-24-00013_先端材料開発二部半導体レジスト１＞・レジスト開発（フォーミュレーション、…
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- 年収
- 400万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 高座郡寒川町
- 職種
- その他半導体
＜HRD07-24-00013_25-00015 材料２部 一課・二課（ArFレジストの開発)＞＜HRD07-25-00015_先端材料開発二部半導体レジスト２＞・レジスト開発（フォーミュレーション、…
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 宮城県 仙台市、他
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、アナログ（その他）、その他半導体、制御設計（シーケンス制御）、レイアウト・基盤設計
★取引社数700社・上流工程に携われます★自己資本比率65.8％で経営安定 ※通常40％以上あれば健全★長期就業のための手厚いサポートが充実しております└年休125日／残業22h／くるみんマーク取得／…
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 埼玉県 さいたま市、他
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、アナログ（その他）、その他半導体、制御設計（シーケンス制御）、レイアウト・基盤設計
★取引社数700社・上流工程に携われます★自己資本比率65.8％で経営安定 ※通常40％以上あれば健全★長期就業のための手厚いサポートが充実しております└年休125日／残業22h／くるみんマーク取得／…
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全求人の一部のみ公開中
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 広島県 広島市
- 職種
- その他半導体
■概要同社の技術開発グループ内でのウェーハボンディングプロセス統合エンジニアとして、先進的なウェーハボンディング技術の開発および統合を推進していただきます。開発から大量生産まで適用可能な革新的なソリュ…
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- 年収
- 500万円～700万円
- 勤務地
- 東京都 中央区
- 職種
- その他半導体、その他（営業職）、工業製品営業、技術営業・セールスエンジニア
台湾系半導体の営業をご担当いただきます。【具体的には】・商材：台湾系メーカーの無線モジュール・お客様：白物家電メーカー、プリンターメーカーなど ※国内メーカーです・客先数：メイン顧客3社＋小口案件10…
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- 年収
- 350万円～800万円
- 勤務地
- 福井県 大野市
- 職種
- その他半導体、プロセス開発、プロセス開発・スケールアップ
【職務内容】アルミ電解コンデンサ、導電性高分子アルミ固体電解コンデンサ、小形リチウムイオン二次電池の設計・開発・改良等を担当いただきます。【世界のニチコン】世界中に広がるユーザーの満足を得るために、同…
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- 年収
- 350万円～800万円
- 勤務地
- 福井県 大野市
- 職種
- その他半導体、プロセス開発、プロセス開発・スケールアップ
～プライム市場上場ニチコングループ/創エネ・蓄エネ・省エネのコア技術を武器とした事業にてニーズが高まっております/中途入社者活躍中～【職務内容】ニチコン株式会社の関連会社である「ニチコン大野株式会社」…
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- 年収
- 454万円～871万円
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市名東区、他
- 職種
- その他半導体、無機（金属・ガラス・セラミック）
■業務内容：材料分析、構造分析、表面分析、および故障分析サービス、等幅広いサービスを提供する同社のTEM分析エンジニアとして、TEM（透過電子顕微鏡）を使用した半導体や電子材料の解析業務や顧客との打ち…
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- 年収
- 454万円～871万円
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市名東区、他
- 職種
- その他半導体、無機（金属・ガラス・セラミック）
■業務内容半導体の材料・構造分析を行う同社にて、分析エンジニア職として、電子顕微鏡（FIB）を使用した半導体や電子材料の解析業務や顧客との打ち合わせ、立ち合い観察などの業務をお任せいたします。■業務の…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 神奈川県 藤沢市
- 職種
- センサー、CAE（構造・応力・振動解析）、CAE（熱・流体解析）、その他半導体
＜技術開発：MEMSセンサデバイスの開発エンジニア[A50正]＞アズビルが提供する半導体市場向けセンサのMEMSセンシングデバイスに関して、プロセス技術開発、センサデバイス設計、センサパッケージ設計、…
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- 年収
- 400万円～800万円
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、工程設計、プロセス開発
【業務内容】■最先端半導体後工程程に関わる技術系職種①半導体パッケージ開発エンジニア最先端半導体パッケージ(後工程)の技術開発②半導体パッケージ設計エンジニア最先端半導体パッケージ(後工程)の設計
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- その他半導体、実験・評価（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）、プロセス開発、プロセス開発・スケールアップ
【業務内容】■最先端半導体前工程に関わる技術系職種①プロセスエンジニア半導体前工程のプロセス開発を主にご担当いただきます。洗浄工程、成膜工程、フォトリソグラフィ、エッチング工程などの工程において専門分…
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 石川県 能美市
- 職種
- その他半導体、プロセス開発
■募集背景従来のFCBGA基板プロセスと、それを超えた前工程プロセス技術を組み合わせ、これまでにない半導体パッケージ開発を早期に実現します。各種配線・絶縁体などの材料に対する知識と、従来の発想に囚われ…
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非公開求人・企業名非公開求人の中に含まれる
ご紹介企業の一例※ 業界、業種によってはご紹介出来ない場合もございます。予めご了承ください。
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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- 年収
- 550万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（ソフト）、工程設計、製品企画・プロジェクトマネージャー（ソフト）
【業務内容】高周波デバイス、増幅器開発、高周波パッケージの開発業務と一部生産技術業務をお任せ致します。【詳細】■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技…
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- 年収
- 400万円～700万円
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、アナログ（その他）、その他半導体、制御設計（シーケンス制御）、レイアウト・基盤設計
★取引社数700社・上流工程に携われます★自己資本比率65.8％で経営安定 ※通常40％以上あれば健全★長期就業のための手厚いサポートが充実しております└年休125日／平均残業20h以下／離職率4.6…
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- 年収
- 350万円～800万円
- 勤務地
- 滋賀県 草津市
- 職種
- その他半導体、プロセス開発、プロセス開発・スケールアップ
【職務内容】フィルムコンデンサ、加速器用電源装置（医療用、研究用等）、産業機器用電源装置、公共・産業用蓄電システム、その他特殊電源の開発・製造 の設計・開発・改良等【組織風土】中途採用のハンディはない…
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- 年収
- 350万円～800万円
- 勤務地
- 長野県 安曇野市
- 職種
- その他半導体、プロセス開発、プロセス開発・スケールアップ
【職務内容】アルミン電解コンデンサ、電気二重層コンデンサ等の設計・開発・改良等を担当いただきます。【世界のニチコン】世界中に広がるユーザーの満足を得るために、同社は日本、アジア・米州・欧州の世界四極体…
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- 年収
- 350万円～800万円
- 勤務地
- 岩手県 岩手郡岩手町
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、その他半導体、プロセス開発
■職務内容：「ニチコン岩手株式会社」にてアルミ電解コンデンサ、導電性高分子ハイブリッドアルミ電解コンデンサの設計・開発・等を担当いただきます。■世界のニチコン：世界中に広がるユーザーの満足を得るために…
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- 年収
- 400万円～800万円
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市名東区
- 職種
- その他半導体、無機（金属・ガラス・セラミック）
■業務内容半導体の材料・構造分析を行う同社にて、分析エンジニア職として、電子顕微鏡（FIB）を使用した半導体や電子材料の解析業務や顧客との打ち合わせ、立ち合い観察などの業務をお任せいたします。半導体を…
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