メモリ 英語の転職・求人情報
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- 年収
- 430万円～550万円
- 勤務地
- 熊本県 菊池市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
【業務内容】・プローブカードの開発、評価業務を行います。・各種計測装置を使用し、現状確認、分析しDATAを基に報告を行います。・お客様へ納める商品に対して、納品先で初期の立ち上げサポートを行います。・…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 愛知県 名古屋市中区
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
〈技術営業（車載センサ・半導体）／名古屋勤務【S75】〉■業務内容中部エリアの自動車関連顧客向けに、車載用センサや半導体の技術営業・ソリューション提案をお任せ致します。ご入社後は顧客先に対しては関係性…
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- 年収
- 400万円～900万円
- 勤務地
- 滋賀県 野洲市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発
■携わる商品スマートフォン市場向けRFスイッチIC、ローノイズアンプ IC、パワーアンプ ICなど■概要スマートフォン市場向け通信モジュールの半導体デバイス/プロセス開発■詳細・差異化技術となりうる新…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
＜DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)＞【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、パワー半導体、品質管理、レイアウト・基盤設計
【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロアプラン見積りから、各機能ブロックをつなぐ配置配線、デジタル領域のP&R、DFT、Timing検証、チップ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- メモリ
デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア メモリデバイス(SRAM,eFuse)担当【業務内容】2nmプロセスにおける、メモリー素子(SRAM, eFuse)の開発デバイス開発を、ロジックトランジス…
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