LED・発光デバイス・光半導体 メーカー／製造業の転職・求人情報 （2/2ページ）
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 大田区
- 職種
- デジタル（マイコン・CPU）、LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価（電気）、技術営業・セールスエンジニア、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
＜安定企業で、制御系電気回路設計のスキルを活かしませんか？＞当社はシステム機器やデバイス機器の設計・製造・販売を行う企業です。元パナソニックグループ企業として、商社機能とメーカー機能を併せ持ち、大手企…
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- 年収
- 430万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市青葉区
- 職種
- FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体
ED25_03【横浜】車載向け LEDディスプレイの設計・開発【担当する業務（概要）】車載用LEDディスプレイの設計開発【担当する業務（詳細）】車載向けLEDディスプレイの開発／設計 （LEDの開発設…
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- 年収
- 450万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市青葉区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、光学系エンジニア
RD25_01【横浜/秦野/山形】可視光VCSELのデバイスプロセス、評価解析/可視光VCSELの結晶成長【募集の背景】同社では、可視光VCSELの事業化に向けた研究開発を進めています。ランプメーカー…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 栃木県 鹿沼市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、製造・オペレーター
■職務概要溶液法で成長した SiC インゴットを外周研削～エピレディウェハまで仕上げる量産加工プロセスの開発業務。・ 大口径 SiC ウェハ用量産ラインの開発・加工条件・切断条件の最適化、加工精度向上…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 栃木県 鹿沼市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、製造・オペレーター
■職務概要溶液法で成長した SiC インゴットを外周研削～エピレディウェハまで仕上げる量産加工プロセスの開発業務。・ 大口径 SiC ウェハ用量産ラインの開発・加工条件・切断条件の最適化、加工精度向上…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 兵庫県 伊丹市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体
【仕事内容】高周波・光デバイスのウエハテストをお任せいたします。研修制度も充実してますのでご安心ください。【具体的には】テストに必要な治工具の設計・加工、テスト条件決め、テストプログラム作成、不具合発…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 兵庫県 伊丹市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、要素技術研究・製品研究開発
【仕事内容】「パワー半導体」のウエハプロセスエンジニアとして、ご活躍いただきます。【具体的には】主に光デバイスのウエハエプロセスで、具体的には「結晶成長工程」における製品歩留りや装置稼働率の向上、ライ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 栃木県 小山市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、光学系エンジニア、実験・評価（電気）
固体レーザの開発と、固体レーザとエキシマレーザアンプを用いたMOPA/MOPOシステムの開発をお任せします。業務内容詳細：波長変換素子を用いた深紫外光（193nm）の固体レーザの開発を行っており、開発…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市幸区
- 職種
- センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
《募集背景》東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
【募集背景】センシング＆デバイス事業は、グローバルに展開する通信分野の光デバイスを事業基盤に、光センシング分野の眼科検査機器向け、インフラ維持管理向けやLiDAR（光を照射して対象物の距離や形状を計測…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価（電気）
＜（技術開発統括部）デバイス開発用TEG (Test Element Group) 設計エンジニア＞【業務内容】2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発におけるTEG設計を担っていただき…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- 450万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市西区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、レイアウト・基盤設計
DC25_04【みなとみらい】電気設計・回路設計・電気制御設計（車載LED制御回路）【募集の背景】近年、エクステリアライティング（車両の外部照明）技術において、LEDの進化が進んでおり、特に「ADB（…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 栃木県 鹿沼市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、製造・オペレーター
■職務概要溶液法で成長した SiC インゴットを外周研削～エピレディウェハまで仕上げる量産加工プロセスの開発業務。・ 大口径 SiC ウェハ用量産ラインの開発・加工条件・切断条件の最適化、加工精度向上…
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