LED・発光デバイス・光半導体 年収1200万円以上の中途採用・転職・求人情報
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- 年収
- 630万円~1240万円
- 勤務地
- 千葉県 市川市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、プロセス開発・スケールアップ
<gcXC36 技術・知財本部 応用製品開発センター 次世代電子部品開発部 第二開発室>★景気変動下でも 11.3%増収。成長市場に強い“攻めの体質”★★売上 2兆2,048億円。世界を牽引するグロー…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 神奈川県 川崎市幸区
- 職種
- センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)
《募集背景》東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価(電気)
<(技術開発統括部)デバイス開発用TEG (Test Element Group) 設計エンジニア>【業務内容】2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発におけるTEG設計を担っていただき…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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