北海道・東北エリア|LED・発光デバイス・光半導体の転職・求人情報
- フレックス出勤/時差出勤(制度あり)
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- 年収
- 510万円~1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】■CMOSイメージセンサーのウェーハ新規デバイス開発をお任せします。新タイプ開発と歩留・特性改善業務、新タイプの試作開発・評価/量産展開、製品要求仕様を満たす生産プロセス条件を確立する仕事…
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- 年収
- 510万円~1070万円
- 勤務地
- 山形県 鶴岡市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【業務内容】新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、センサー構造の企画構想、新規デバイス構造設計、プロセスフロー設計、シミュレーションを使用した素子設計、試作開発、特性評価などを行いま…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気)、製品企画・プロジェクトマネージャー(電気)
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価(電気)
【業務内容】2nmプロセス及びそれ以降の世代においけるデバイス開発及びプロセス評価用TEGのLayout等の業務全般。デバイス開発ではトランジスタ特性(電気特性、各種Layout依存性)や抵抗及び容量…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
公開中の求人6件中 1~6件を表示
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