パワー半導体, 半導体の転職・求人情報
- オンライン面接／WEB面接（実績あり）
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- 年収
- 550万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、設備導入・立ち上げ、設備設計（機械）
【業務内容】半導体試験装置試験の工程設計管理・機器選定業務をお任せ致します。【詳細】■半導体電子デバイスの電気特性試験のための試験系・プローブカード・プログラム等の設計■製造品の試験工程において発生す…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 「月収額」34.0万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（機械）、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
【業務内容】■半導体製造装置のプロセス開発・検証業務。新規開発・既存装置の改善、改良を行う際の仕様検討からプロセス条件設定までを担当。ハード・ソフト等のメンバーと一つのプロジェクトとして推進していきま…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】SAWリソグラフィ工程のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と安定化FDC、設備ログなど設備データを用いたプロセス／…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】SAWドライエッチング工程のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と安定化FDC、設備ログなど設備データを用いたプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 熊本県 球磨郡錦町
- 職種
- パワー半導体、工程設計、設備導入・立ち上げ、プロセス開発
≪【錦工場】量産技術エンジニア（モールド工程・勤務地：熊本県球磨郡錦町）≫【職務内容】担当技術分野：量産技術エンジニア（モールド工程）対象製品： 半導体製品全般(車載)担当業務： モールド工程の生産設…
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- 年収
- 880万円～1456万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市中央区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化・…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市栄区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 450万円～960万円
- 勤務地
- 山梨県 中巨摩郡昭和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体、工程設計、プロセス開発
【業務内容】半導体ウェハプロセスに関する製造技術業務をお任せ致します。生産性改善をメイン業務とし、新規設備の導入や設備改修なども一部ご担当頂きます。【業務のやりがい】■自分たちの製造した半導体レーザが…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】新製品における最適な欠陥検査レシピの設定新規プロセスおける欠陥検査内容の提案と欠陥検査レシピの設定製造工程で発生するパーティクルやクラック等の欠陥を解析することにより、発生原因や発生工程を…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）・装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化…
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- 年収
- 880万円～1350万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・Metal及び圧電材料のトリミング工程の条件設定及びControl plan明確化・最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む）・装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化…
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- 年収
- 660万円～990万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・CMP装置のメーカーでのデモテスト、ベンチマーク資料作成・CMP装置の導入及びメンテナンス手法の確立・CMPによる平坦化工程の最適スラリーの選定、条件設定、Control plan明確化…
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- 年収
- 880万円～1350万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市住之江区
- 職種
- パワー半導体、プロセス開発
【仕事内容】・CMP装置のメーカーでのデモテスト、ベンチマーク資料作成・CMP装置の導入及びメンテナンス手法の確立・CMPによる平坦化工程の最適スラリーの選定、条件設定、Control plan明確化…
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