パワー半導体, 年収600万円以上の転職・求人情報 （4/4ページ）
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 栃木県 芳賀郡芳賀町
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
【募集の背景】Hondaは、この地球上で人々が持続的に生活していくため、「カーボンニュートラル」「クリーンエネルギー」「リソースサーキュレーション 」を1つのコンセプトにまとめた「Triple Act…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
DS_A0061 【アナログ回路設計】CMOSイメージセンサー（主にセキュリティ／産機（FA、IoT）／医療向け）【リーダー/担当者】 CMOSアナログ回路設計を担当します。■組織としての担当業務CM…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- パワー半導体、実験・評価（電気）、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
【リーダー/担当者】CMOSアナログ設計・検証を担当していただきます。■組織の役割ソニーの半導体ビジネスを支えるCMOSイメージセンサーの開発を担当しています。セキュリティカメラ、産業機器向けカメラの…
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- 年収
- 540万円～1050万円
- 勤務地
- 秋田県 由利本荘市
- 職種
- パワー半導体、設備設計（機械）、プロセス開発
〈C003【秋田・岩手】製品製造工程のプロセス設計・改善 ※就業環境◎／グローバルメーカー〉■業務内容積層セラミックコンデンサ事業における一貫製造ラインの工程管理・工程改善をお任せします。積層セラミッ…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
＜DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)＞【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、パワー半導体、品質管理、レイアウト・基盤設計
【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロアプラン見積りから、各機能ブロックをつなぐ配置配線、デジタル領域のP&R、DFT、Timing検証、チップ…
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