愛知県 日進市|パワー半導体の転職・求人情報
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- 年収
- 400万円~1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気)、無機(金属・ガラス・セラミック)
【職務内容】パワーデバイス材料研究、デバイス開発・SiCウェハガス成長法の研究開発・SiCエピタキシャル成長の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発・α酸…
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- 年収
- 400万円~1000万円
- 勤務地
- 愛知県 日進市、他
- 職種
- パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発(機械)、電源・パワーテレクトロニクス(アナログ)
【職務内容】パワーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発・インバータ、コンバータ回路開発・SiC、GaNデバイス駆動回路開発・モータ制御、電源制御開発・耐EMC回路、解析技術開発・ロジック回路R…
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