全国｜LED・発光デバイス・光半導体の転職・求人情報 （2/2ページ）
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- 年収
- 350万円～570万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】半導体製造工場に…
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- 年収
- 570万円～880万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- 「月収額」27.5万円
- 勤務地
- 宮城県 黒川郡大和町
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、製品企画・プロジェクトマネージャー（電気）
【業務内容】■製品戦略の企画から実行をお任せします。具体的には下記になります。・半導体製造装置市場の技術動向、重要顧客および競合他社の調査や分析をおこない、中長期の技術トレンドを予測する。・新製品の開…
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- 年収
- 550万円～980万円
- 勤務地
- 新潟県 燕市
- 職種
- CAE（熱・流体解析）、LED・発光デバイス・光半導体、駆動・機構設計
募集者の名称パナソニック株式会社 エレクトリックワークス社配属部門パナソニック株式会社 エレクトリックワークス社 プロフェッショナルライティングBU●担当業務と役割・主な担当業務は、照明器具の機構設計…
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- 年収
- 400万円～749万円
- 勤務地
- 東京都 江東区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体
【職務内容】アクチュエータ制御機器の開発
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- 年収
- 400万円～749万円
- 勤務地
- 東京都 江東区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体
【職務内容】・ロケットに搭載するバッテリの開発・バッテリシステムの構成検討、部品選定、試験
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- 年収
- 450万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市青葉区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、光学系エンジニア
RD25_01【横浜/秦野/山形】可視光VCSELのデバイスプロセス、評価解析/可視光VCSELの結晶成長【募集の背景】同社では、可視光VCSELの事業化に向けた研究開発を進めています。ランプメーカー…
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- 年収
- 430万円～900万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市青葉区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体
ED25_01【横浜】ハイパワー用LEDのパッケージ設計・開発【募集の背景】同社では自動車用ランプのシステム化を推進し、ランプシステムサプライヤーとしてさらなる事業拡大を目指しております。自動車ランプ…
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- 年収
- 340万円～400万円
- 勤務地
- 宮城県 仙台市、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、内装設計・インテリア・意匠、パワー半導体
【職務内容】【完全未経験からエンジニア＆エンジニアサポート職を目指せます】自動車や家電製品、半導体、IT、医薬品、化学素材などの様々な業界の開発領域で活躍するエンジニア業務もしくはエンジニアのサポート…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 品川区
- 職種
- サービスエンジニア、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、工業製品営業、技術営業・セールスエンジニア
〈【精機事業本部】半導体露光装置、計測検査装置、FPD露光装置のマーケティング、商品企画〉（74）【本部/事業部】精機事業本部【配属先】精機事業本部/商品戦略部/商品戦略課～組織としての担当業務～【商…
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- 年収
- 750万円
- 勤務地
- 大阪府 大阪市北区
- 職種
- FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、レイアウト・基盤設計
【リーダー/担当者】 モバイル機器向けCMOSイメージセンサーのロジック設計業務。商品開発における機能要件開発、ロジック回路設計・検証、量産化サポートを行います。また、生産性向上に向けた中期的な改善を…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）、高周波・RF・通信（アナログ）
DS_A0061 【アナログ回路設計】CMOSイメージセンサー（主にセキュリティ／産機（FA、IoT）／医療向け）【リーダー/担当者】 CMOSアナログ回路設計を担当します。■組織としての担当業務CM…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、実験・評価（電気）
【業務内容】2nmプロセス及びそれ以降の世代においけるデバイス開発及びプロセス評価用TEGのLayout等の業務全般。デバイス開発ではトランジスタ特性（電気特性、各種Layout依存性）や抵抗及び容量…
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- 年収
- 490万円～800万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- 410万円～690万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- 350万円～570万円
- 勤務地
- 北海道 千歳市
- 職種
- メモリ、センサー、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体、パワー半導体
北海道千歳市に最先端LSI（半導体）世界初・製造工場が開設！2ミリ以下の最先端LSI（半導体）を日本発の開発・生産を目指し、開発から生産管理まで幅広く人材を募集いたします。【職務内容】・半導製造ライン…
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- 年収
- 450万円～800万円
- 勤務地
- 神奈川県 横浜市西区
- 職種
- LED・発光デバイス・光半導体、レイアウト・基盤設計
DC25_04【みなとみらい】電気設計・回路設計・電気制御設計（車載LED制御回路）【募集の背景】近年、エクステリアライティング（車両の外部照明）技術において、LEDの進化が進んでおり、特に「ADB（…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 福岡県 福岡市早良区
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、パワー半導体、実験・評価（機械）、実験・評価（電気）
＜DS_A0004 【物理設計】イメージセンサのデジタル領域及びチップトップレイアウト業務(福岡勤務)＞【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーの物理(バックエンド)設計業務。チップサイズ・フロア…
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- 年収
- 750万円～750万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- センサー、FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体、電源・パワーテレクトロニクス（アナログ）
【リーダー/担当者】 モバイル機器(主にスマートフォン等)向けCMOSイメージセンサーのロジック設計業務。商品開発における機能要件開発、ロジック回路設計・検証、及び、量産化サポートを行い、商品開発工程…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市、他
- 職種
- センサー、デジタル（マイコン・CPU）、FPGA（デジタル）、LED・発光デバイス・光半導体
【リーダー/担当者】CMOSイメージセンサーのデジタル回路設計のリーダーおよびエンジニアを募集します。アナログや画素との混載製品であるイメージセンサーのデジタル制御部分の設計を担当します。また画素から…
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- 年収
- 750万円～950万円
- 勤務地
- 神奈川県 厚木市
- 職種
- メモリ、LED・発光デバイス・光半導体、その他半導体
【リーダー/担当者】チップレベルのESD設計技術、ESD保護素子/セルライブラリ、ESD検証ツール開発経験者■組織の役割SSSグループが手掛ける半導体チップ設計に必要なESD設計技術の開発、および、実…
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- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 東京都 千代田区、他
- 職種
- CAE（電磁界・電磁場解析）、LED・発光デバイス・光半導体、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセ…
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