東京都｜基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）, 半導体の転職・求人情報
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- 年収
- 450万円～650万円
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- アナログ（その他）、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）
電源・モータードライバー・高速インターフェイス等のアナログ回路設計及びマニュアルレイアウト設計をお任せします。※高速インターフェイスマクロなどの自社IP開発プロジェクトの実績あり。【主要設備】■回路設…
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- 年収
- 600万円～950万円
- 勤務地
- 東京都 港区
- 職種
- センサー、その他半導体、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、実験・評価（電気）、プロセス開発
DS_A0011 【ロジックデバイスエンジニア】CMOSイメージセンサーのロジックデバイス開発（主にモバイル)【リーダー/担当者】モバイル（スマートフォン、ウェアラブルデバイス等）向け積層CMOSイメ…
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- 年収
- 400万円～600万円
- 勤務地
- 東京都 小平市、他
- 職種
- メモリ、基礎研究・先行開発・要素技術開発（電気）、構造設計
【職務内容】車載向けワイヤーボンディングパッケージの設計、開発業務・IATF16949に則ったパッケージ開発・内製(米沢/大分)、OSAT開発製品のパッケージングインテグレーション・設計ツールを用いた…
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