海外 年収600万円以上などの転職・求人情報 (2/2ページ)
- 年収600万円以上
- 英語
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- 基礎研究・先行開発・要素技術開発(機械)、基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気)、プロセス開発
【業務内容】2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における主にフロントエンドの業務を担っていただきます。装置・材料メーカーや社内部門(デバイス、プロセスインテグレーション、TEGレイア…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、実験・評価(電気)、プロセス開発
デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア アナログデバイス担当【業務内容】2nmプロセスにおける、アナログ素子の開発。デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 海外
- 職種
- 事業企画/事業統括(事業管理、事業推進含む)
急成長中の外国人紹介マーケットのパイオニアとしてインドネシア日本語学校での人材育成など川上から川下まで人材紹介業にコミットし、インドネシアでの事業をリードして頂きます。日本で多くの特定技能インドネシア…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- CAE(電磁界・電磁場解析)、実験・評価(電気)、プロセス開発
デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア ESD・ラッチアップ担当【業務内容】2nmプロセスにおける、ESD素子の開発またはラッチアップ対策。デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- メモリ
デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア メモリデバイス(SRAM,eFuse)担当【業務内容】2nmプロセスにおける、メモリー素子(SRAM, eFuse)の開発デバイス開発を、ロジックトランジス…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- その他半導体、品質保証、実験・評価(ソフト)、実験・評価(電気)
■2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック半導体開発における、主に開発/評価/解析関連業務のいずれかを担っていただきます。【具体的には】■デバイスの開発/評価(各種測定、信頼性評価 等)/解…
-
- 年収
- ※年齢、経験、能力を考慮のうえ、…
- 勤務地
- 北海道 千歳市、他
- 職種
- 製品企画・プロジェクトマネージャー(機械)、製品企画・プロジェクトマネージャー(電気)
【業務内容】2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における主にフロントエンドの業務(TEGレイアウト設計含む)を担い、チーム全体のマネジメントを行っていただきます。フロントエンドプロセ…
公開中の求人57件中 51~57件を表示
- 1
- 2
希望通りの求人が
見つからない方へ
マイナビ転職エージェントサイトで
ご覧いただける求人は一部となります。
無料転職サポートをお申し込みいただくと
こちらで公開していない登録者限定の求人を
ご紹介することができます。