三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 Si-IGBTの設計開発【先端技術総合研究所】|転職・求人はマイナビエージェント

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三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

Si-IGBTの設計開発【先端技術総合研究所】

  • 上場
  • 設立30年以上の企業
  • 社員数500名以上

担当キャリアアドバイザーのレポートSi-IGBTの設計開発【先端技術総合研究所】

年 収
400万円~1000万円経験・役割等による
勤務地
兵庫県
募集職種 機械系 基礎研究,電気系 基礎研究
仕事内容 【採用背景】
Siパワーデバイスが多くの分野で開発が進んでおり、開発に伴うデバイスの特性評価、解析も増加しています。このような環境において、研究所において体制強化必要となっているため新たに人材を募集します。

【業務内容】
シリコンパワーデバイスの解析評価やデバイスシミュレータを使った設計をご担当いただきます。

【業務の魅力】
研究開発したものが、製品に組み込まれるところまで携わることができ、製品化の実感が湧きます。また、長期的なテーマに取り組むこともできるため、新しいものを作り出せる業務です。社外連携においても、国立研究開発法人などと共同しています。また、電気自動車などの普及に伴い成長が見込まれる分野です。
応募条件 【必須】
・Siパワーデバイス業界における設計開発の経験

【歓迎】
・Si-IGBTの開発経験
学 歴 大卒,大学院卒,高専卒
手 当 家族手当,通勤手当
福利厚生 健康保険,労災保険,厚生年金保険,雇用保険,社員寮(家族寮),社員寮(独身寮),社員持株会制度,財形貯蓄,退職金
休日・休暇 その他休暇,土曜日,夏季休暇,年末年始休暇,慶弔休暇,日曜日,有給休暇,祝日,週休2日制
就業時間 08:30~17:00

企業情報

会社概要
日本を代表する総合電機メーカー
設立
-
資本金
-
株式公開
東証一部
従業員数
1,000人以上

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